[发明专利]显示装置

说明书

本发明提供一种显示装置，包括多个像素，所述像素中的至少一个由下到上依次包括：多晶硅层，具有第一沟道区和第二沟道区；第一绝缘层；第一金属层，具有第一布线部；第二绝缘层；第二金属层，具有第二布线部；第三绝缘层；以及发光元件。其中，所述第一布线部与所述第一沟道区重叠，所述第二布线部与所述第二沟道区重叠，所述第一布线部和所述第二布线部中的每一个由钼制成，所述第二沟道区包括弯曲部，所述第一沟道区配置为从数据线提供数据电压，并且其中，所述第二沟道区配置为根据所述数据电压从电压线向所述发光元件提供驱动电流。

技术领域

本公开涉及一种显示装置，其包括电流驱动的显示元件、制造这种显示装置的方法，和设有这种显示装置的电子设备。

背景技术

近年来，在进行图像显示的显示装置的领域中，使用电流驱动的光学元件作为发光元件的显示装置(有机电致发光(EL)显示装置，诸如有机EL元件)(其发光亮度基于流动电流的值而变化)已经被开发且其商业化正在进行。不像液晶元件或其它元件，发光元件是自发光元件，且无需单独的光源(背光)。因此，与其需要光源的液晶显示装置相比，有机EL显示装置具有图像的高可见度、低功耗和元件的高响应速度等的特性。

在这样的显示装置中，单位像素可包括例如写入晶体管和驱动晶体管。写入晶体管适于选择像素信号要被写入其中的单位像素，且驱动晶体管适于将电流提供到发光元件。例如，在PTL 1中，公开了一种显示装置，其中驱动晶体管的电流驱动能力被设置为低于写入晶体管的电流驱动能力。此外，例如，在PTL 2中，公开了一种显示装置，其中驱动晶体管的沟道长度L被设置为长于写入晶体管的沟道长度L。此外，例如，在PTL 3中，公开了一种显示装置，其还包括AC晶体管，且驱动晶体管的沟道长度L与沟道宽度W的比例(L/W)被设置为大于AC晶体管的沟道长度L与沟道宽度W的比例(L/W)。

参考文献列表

专利文献

PTL 1：日本未审查专利申请公开号2003-308030

PTL 2：日本未审查专利申请公开号2008-46427

PTL 3：日本未审查专利申请公开号2005-202371

发明内容

顺便提及，在显示装置中，通常需要高图像质量，且期望图像质量的进一步提高。

因此，理想的是提供一种显示装置，包括多个像素，所述像素中的至少一个包括：形成在衬底上的导电层；形成在导电层上的第一绝缘层；第一多晶硅层；第二多晶硅层；第二绝缘层，形成在所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层上；第一栅极和第二栅极，形成在所述第二绝缘层上；第三绝缘层，形成在所述第一栅极和所述第二栅极上；以及发光元件，形成在所述第三绝缘层上并且配置为发射光，其中，所述第一栅极与所述第一多晶硅层重叠，其中，所述第二栅极与所述第二多晶硅层重叠，其中，所述第一栅极、所述第二栅极和所述导电层中的每一个由钼制成，其中，所述第一多晶硅层不与所述导电层重叠；其中，所述第二多晶硅层包括(i)与所述第二栅极和所述导电层重叠的沟道；以及(ii)不与所述第二栅极和所述导电层重叠的弯曲部；其中，所述第一多晶硅层配置为从数据线提供数据电压，并且其中，所述第二多晶硅层配置为根据所述数据电压从电压线向所述发光元件提供驱动电流。

根据本公开的各自实施例的显示装置，使得能够提高图像质量。此外，这里描述的影响是非限制性的。由技术实现的效果可以是本公开中描述的一个或多个效果。

附图说明

[图1]图1是示出根据本公开的第一实施例的显示装置的构造实例的框图。

[图2]图2是示出图1所示的子像素的构造实例的电路图。

[图3]图3是示出图1所示的显示部的概略截面结构的横截面图。

[图4A]图4A是示出图1所示的像素的结构实例的示意图。