[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201710201625.8 | 申请日: | 2014-07-16 |
公开(公告)号: | CN107393930B | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 甚田诚一郎 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L29/10;H01L29/786 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括多个像素,所述像素中的至少一个包括:
形成在衬底上的导电层;
形成在导电层上的第一绝缘层;
第一多晶硅层;
第二多晶硅层;
第二绝缘层,形成在所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层上;
第一栅极和第二栅极,形成在所述第二绝缘层上;
第三绝缘层,形成在所述第一栅极和所述第二栅极上;以及
发光元件,形成在所述第三绝缘层上并且配置为发射光,
其中,所述第一栅极与所述第一多晶硅层重叠,
其中,所述第二栅极与所述第二多晶硅层重叠,
其中,所述第一栅极、所述第二栅极和所述导电层中的每一个由钼制成,
其中,所述第一多晶硅层不与所述导电层重叠;
其中,所述第二多晶硅层包括(i)与所述第二栅极和所述导电层重叠的沟道;以及(ii)不与所述第二栅极和所述导电层重叠的弯曲部;
其中,所述第一多晶硅层配置为从数据线提供数据电压,并且
其中,所述第二多晶硅层配置为根据所述数据电压从电压线向所述发光元件提供驱动电流。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第二多晶硅层的所述弯曲部是所述第二多晶硅层的多个弯曲部中的一个弯曲部,其中每个所述弯曲部弯曲180度。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第二多晶硅层的所述弯曲部是所述第二多晶硅层的单个弯曲部,其中所述单个弯曲部弯曲180度。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第二多晶硅层的所述弯曲部是所述第二多晶硅层的多个弯曲部中的一个弯曲部,其中每个所述弯曲部弯曲90度。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第二多晶硅层的所述弯曲部是所述弯曲部的单个弯曲部,其中所述单个弯曲部弯曲90度。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第二多晶硅层具有“S”形形状。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第二多晶硅层具有“U”形形状。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述显示装置是顶部发射型。
9.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,所述第一栅极和所述第一多晶硅层配置为提供写入晶体管,以及
其中,所述第二栅极和所述第二多晶硅层配置为提供驱动晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的