[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号: | 201710200850.X | 申请日: | 2017-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN107275258B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
| 发明(设计)人: | 古矢正明;森秀树 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/68;H01L21/66 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:
基板保持部,对基板进行保持;
处理液保持板,在由所述基板保持部保持的所述基板的上方设置于与所述基板的表面对置并离开的位置,且在所述基板侧的表面具有排出处理液的排出口,所述处理液保持板在与由所述基板保持部保持的所述基板的表面之间,保持从所述排出口排出的所述处理液;
加热器,设置于所述处理液保持板,对所述处理液保持板进行加热;
升降机构,在由所述基板保持部保持的所述基板的上方,使所述处理液保持板以及所述加热器相对于所述基板升降;以及
疏液层,仅在所述处理液保持板的所述基板侧的表面的一部分以包围所述排出口的方式呈环状设置,并排斥所述处理液。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
排斥所述处理液的环状的疏液层与所述排出口接触地设置。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述排出口为圆形,
环状的所述疏液层与所述排出口的形状相对应地形成为具有规定的宽度的圆环状。
4.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,具备:
旋转机构,使所述基板保持部旋转;以及
温度传感器,以位于比所述排出口更靠所述基板的外侧的方式设置于所述处理液保持板,并检测所述处理液保持板的温度,
环状的所述疏液层包含所述排出口以及供所述基板保持部的旋转轴通过的位置,并形成为位于比所述温度传感器更靠所述基板的内侧的尺寸。
5.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
环状的所述疏液层的至少一部分从所述排出口离开。
6.一种基板处理装置,其特征在于,具备:
基板保持部,对基板进行保持;
处理液保持板,在由所述基板保持部保持的所述基板的上方设置于与所述基板的表面对置并离开的位置,且在所述基板侧的表面具有排出处理液的排出口,所述处理液保持板在与由所述基板保持部保持的所述基板的表面之间,保持从所述排出口排出的所述处理液;
加热器,设置于所述处理液保持板,对所述处理液保持板进行加热;
升降机构,在由所述基板保持部保持的所述基板的上方,使所述处理液保持板以及所述加热器相对于所述基板升降;
温度传感器,设置于所述处理液保持板中的与所述基板侧相反的一侧的面或者所述处理液保持板的内部,并检测所述处理液保持板的温度;以及
疏液层,仅在所述处理液保持板的所述基板侧的表面的一部分以与所述温度传感器对置、且在俯视时包围所述温度传感器的测温位置的方式设置,并排斥所述处理液。
7.如权利要求1、2、6中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备设置于所述处理液保持板的所述基板侧的表面中不与所述基板对置的区域并排斥所述处理液的疏液层。
8.如权利要求1、2、6中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备设置于所述处理液保持板的侧面并排斥所述处理液的疏液层。
9.如权利要求1、2、6中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述疏液层的区域相对于所述处理液的润湿性与其他区域相比更差,是所述处理液难以附着的区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





