[发明专利]源阶梯场板垂直型功率晶体管

权利要求书

1.一种源阶梯场板垂直型功率晶体管，包括:衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(12)，势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(9)，两个源极(9)下方通过离子注入形成两个注入区(8)，源极(9)之间的势垒层(7)上面淀积有栅极(10)，衬底(1)下面淀积有漏极(11)，钝化层(12)完全包裹在除漏极(11)底部以外的所有区域，两个对称的阻挡层(4)之间形成孔径(5)，其特征在于：

所述两个阻挡层(4)，采用由第一阻挡层(41)、第二阻挡层(42)和第三阻挡层(43)构成的三级台阶结构，且第一阻挡层(41)位于第二阻挡层(42)的外侧，第三阻挡层(43)位于第二阻挡层(42)的内侧；

所述钝化层(12)，采用阶梯结构，即在钝化层的两边刻有整数个阶梯，所有阶梯上淀积有金属，形成对称的两个整体阶梯场板(13)，该阶梯场板(13)与源极(9)电气连接，形成阶梯源场板。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于阶梯场板(13)的阶梯数，是根据钝化层阶梯数m确定，m根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于1的整数。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于第一阻挡层(41)的厚度a为0.5～3μm，宽度d为0.2～1μm，第二阻挡层(42)的厚度b为0.3～1μm，宽度e为0.5～1.4μm，第三阻挡层(43)的厚度c为0.2～0.5μm，宽度f为0.9～2μm，且a>b>c。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于阶梯场板(13)与漂移层(2)之间的最小水平间距t近似满足关系：且e+f<3.5a，其中，a为第一阻挡层(41)的厚度，e为第二阻挡层(42)的宽度，f为第三阻挡层(43)的宽度。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于钝化层两边的各级阶梯高度L_i相同，且第1阶梯上表面距离第一阻挡层下边界的垂直距离为W，且W＝L_i，每个阶梯的宽度S_i不同，且自上而下依次增大，i为整数且m≥i≥1。