[发明专利]集成电子器件及其制造方法

说明书

一种具有半导体本体(30)的集成电子器件包括：第一电极区域(32)，该第一电极区域具有第一导电类型；以及第二电极区域(28，34，38)，该第二电极区域具有第二导电类型，该第二电极区域与该第一电极区域形成结。该集成电子器件进一步包括：纳米结构半导体区域(48)，该纳米结构半导体区域在该第一和第二电极区域(32；28，34，38)之一中延伸。

技术领域

本发明涉及一种具有降低恢复时间的电子结器件。具体地，本电子器件适用于例如可能经受所谓的电流回流现象的应用的情况，并且更一般地适用于设想使电子器件经受快速电压变化的应用的情况。

背景技术

如已知的，所谓的电流回流现象在例如当电子输出级连接至(期望的或寄生的)感性负载时发生。

例如，图1示出了控制级2，该控制级包括第一晶体管4和第二晶体管6、以及第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5和第六二极管D6。

详细地，该第一晶体管4是P-MOS型的功率MOSFET，并且包括该第五二极管D5。该第五二极管D5的阴极和阳极分别连接至该第一晶体管4的源极端子和漏极端子。进一步地，该第一晶体管4的源极端子被设置为第一(正)供应电压V₊，而漏极端子连接至该第三二极管D3的阳极，该第三二极管的阴极形成节点N。

该第二晶体管6是N-MOS型的功率MOSFET，并且包括该第六二极管D6。该第六二极管D6的阴极和阳极分别连接至该第二晶体管6的漏极端子和源极端子。进一步地，该第二晶体管6的源极端子被设置为第二(负或零)供应电压V_-，而漏极端子连接至该第四二极管D4的阴极，该第四二极管的阳极连接至节点N。

该第一二极管D1的阳极和阴极分别连接至节点N以及该第一晶体管4的源极端子。进一步地，该第二二极管D2的阴极和阳极分别连接至节点N以及该第二晶体管6的源极端子。

节点N电连接至例如金属焊盘10。在此连接中，该第三二极管D3和该第四二极管D4具有在该第一晶体管4和/或该第二晶体管6断开的情况下防止通过金属焊盘10来自外部世界的可能信号流过该第五二极管D5和该第六二极管D6的功能。

再一次关于金属焊盘10，其电连接至由串联电路形成的负载，该负载进而包括电感器L和电阻器R。

在使用中，该第一晶体管4和该第二晶体管6通过其相应的栅极端子被控制为不同时导通。也就是说，假设该第一晶体管4导通，则该第一二极管D1中无电流流动。进一步地，该第二二极管D2承受存在于节点N上的电压与电压V_-之间的电压，但在其任一者内部无电流流动。在这些条件下，一定的电流在负载中流动，并且因此在电感器L和电阻器R中流动。

接着，在该第二晶体管6仍然断开的同时，该第一晶体管4被断开。在这些条件下，电感器L趋于保持当该第一晶体管4接通时流过其的电流。然而，现在此电流在特定时间段内由该第二二极管D2来供应。接着，该第二晶体管6被接通并且向大致等于V_-的值发送节点N的电压。该电流继续在该第二二极管D2中流动，直到电感器L已经耗尽了在先前的导通步骤过程中存储的能量。一旦耗尽了该能量，电感器L则由具有与先前的导通步骤相反的方向的电流来流过，此电流进一步流经该第四二极管D4和该第二晶体管6。在这些条件下，该第二二极管D2开始断开。

也就是说，如果在该第二二极管D2完全关断(即没有任何存储的电荷)之前关断该第二晶体管6并且然后再次接通该第一晶体管4，则节点N上的电压上升。换言之，该第一晶体管4趋于迫使该第二二极管D2以反向偏置模式进行操作。然而，该第二二极管D2尚未断开并且在任何情况下必须承受存在于节点N上的电压。在这些条件下，该第二二极管D2可能经受故障，因为该第二二极管D2两端的电压可能仅由该第二二极管D2的部分承受，而没有载流子。