[发明专利]集成电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电子器件，所述集成电子器件包括半导体本体，所述集成电子器件包括：

-第一电极区域，所述第一电极区域具有第一导电类型；以及

-第二电极区域，所述第二电极区域具有第二导电类型，所述第二电极区域与所述第一电极区域形成结；

所述集成电子器件进一步包括纳米结构半导体区域，所述纳米结构半导体区域在所述第一电极区域和所述第二电极区域之一中延伸，其中：

所述半导体本体由前表面来界定；

所述第一电极区域形成向外朝向所述前表面的MOSFET的本体区域；

所述第二电极区域形成向外朝向所述前表面的所述MOSFET的第一导电区域，所述第一导电区域是漏极区域或源极区域。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一和第二电极区域分别具有第一最小掺杂水平和第二最小掺杂水平，所述第二最小掺杂水平低于所述第一最小掺杂水平；并且其中，所述纳米结构半导体区域在所述第二电极区域中延伸。

3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述第二电极区域至少包括：

-第一子区域，所述第一子区域安排在距所述第一电极区域一定距离处；以及

-第二子区域，所述第二子区域安排在所述第一子区域与所述第一电极区域之间并且接触所述第一子区域和所述第一电极区域，所述第二子区域具有等于所述第二最小掺杂水平的掺杂水平；

并且其中，所述纳米结构半导体区域至少部分地在所述第二子区域内延伸。

4.根据权利要求3所述的器件，其中，所述纳米结构半导体区域完全在所述第二子区域内延伸。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的器件，包括：采用电介质材料的绝缘区域，所述绝缘区域在所述第二电极区域内延伸并且相对于所述第一电极区域而横向交错；并且其中，所述纳米结构半导体区域在所述绝缘区域之下与其直接接触地延伸。

6.根据权利要求5所述的器件，其中所述MOSFET包括：

第二导电区域，与所述本体区域邻近，所述第二导电区域是漏极区域或源极区域；

导电栅极；以及

栅极电介质，被定位在所述导电栅极和所述本体区域之间。

7.根据权利要求5所述的器件，其中所述绝缘区域安排在所述本体区域与所述第一导电区域之间。

8.一种用于制造集成电子器件的方法，所述方法包括形成半导体本体的步骤，所述形成半导体本体的步骤包括：

-形成第一电极区域，所述第一电极区域具有第一导电类型；以及

-形成第二电极区域，所述第二电极区域具有第二导电类型，从而使得其将与所述第一电极区域形成结；

所述方法进一步包括以下步骤：形成纳米结构半导体区域，从而使得其将在所述第一和第二电极区域之一中延伸，以及形成采用电介质材料的绝缘区域，所述绝缘区域在所述第二电极区域中延伸、并且相对于所述第一电极区域而横向交错。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述形成第一电极区域和第二电极区域的步骤为使得所述第一和第二电极区域分别具有第一最小掺杂水平和第二最小掺杂水平，所述第二最小掺杂水平低于所述第一最小掺杂水平；并且其中，所述形成纳米结构半导体区域的步骤为使得所述纳米结构半导体区域在所述第二电极区域中延伸。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述形成纳米结构半导体区域的步骤包括：形成所述纳米结构半导体区域，从而使得其将在所述绝缘区域之下与其直接接触地延伸。