[发明专利]阵列基板、液晶显示面板及阵列基板的制作方法

说明书

技术领域

本申请一般涉及显示技术领域，尤其涉及阵列基板、液晶显示面板及阵列基板的制作方法。

背景技术

随着液晶显示技术的不断发展，液晶显示面板广泛应用于各种移动终端、家用电视、数字相机、计算机等具有高分辨率的显示设备中。

显示面板中通常包括阵列基板，其中，阵列基板的制作过程最为复杂，制作成本也较高。一般来说，在阵列基板中包括栅极、栅绝缘层、半导体层、源/漏电极、像素电极、公共电极和钝化层等。

目前较为节省制作成本的一种阵列基板制作方法包括4个掩膜版，4个掩膜版分别用于：形成图案化的栅极和像素电极、形成图案化的栅绝缘层/半导体层/源漏电极、形成图案化的钝化层以及形成图案化的公共电极。在上述使用4个掩膜版制作阵列基板的工艺中，由于像素电极与源漏电极位于不同层且在垂直于衬底基板的方向上相互错位，需要使用两个过孔将像素电极与源/漏电极进行电气连接。

这样形成的阵列基板虽然成本较低，但是由于需要通过两个过孔才能使源/漏极与像素电极连接。由于目前在阵列基板中形成的过孔的形状及形成过孔的工艺使得过孔所占用的面积较大。这种方法形成的阵列基板应用于高分辨率显示面板时，过孔在像素内的占位面积尤为突出，大大降低了像素的开口率，使得高分辨率显示面板的显示亮度较暗。

发明内容

鉴于现有技术存在的上述问题，本发明提供一种阵列基板、液晶显示面板及阵列基板的制作方法，以解决背景技术中所述的至少部分技术问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，阵列基板包括衬底基板、多个公共电极，以及设置在衬底基板与公共电极之间的薄膜晶体管、像素电极、第一辅助电极和第二辅助电极；薄膜晶体管包括栅极、有源层、源/漏电极；第一辅助电极与像素电极同层、相互分离且相互绝缘；第一辅助电极与像素电极设置在衬底基板面向公共电极的一侧；第二辅助电极与栅极同层、相互分离且相互绝缘；有源层设置在栅极远离第一辅助电极的一侧；栅极与有源层之间设置第一绝缘层，且第一绝缘层覆盖栅极、第一辅助电极、像素电极及第二辅助电极；源/漏电极设置在有源层远离第一绝缘层的一侧，且源/漏电极与有源层接触；源/漏电极与公共电极之间设置第二绝缘层，且第二绝缘层覆盖有源层、源/漏电极与第一绝缘层；过孔贯穿第一绝缘层与第二绝缘层；连接导体通过一个过孔连接源/漏电极靠近像素电极的侧面、第二辅助电极靠近栅极的侧面和部分像素电极；连接导体与公共电极同层且相互绝缘；其中源/漏电极的与有源层所在平面具有夹角的表面为源/漏电极的侧面；第二辅助电极的与衬底基板所在平面具有夹角的表面为第二辅助电极的侧面。

第二方面，本申请实施例还提供了一种液晶显示面板，包括上述阵列基板。

第三方面，本申请实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，用于制作上述阵列基板，方法包括在衬底基板的一侧依次形成第一导体层和第二导体层；使用第一掩膜版使第一导体层形成像素电极与第一辅助电极，使第二导体层形成栅极与第二辅助电极；其中，像素电极与第一辅助电极相互分离且相互绝缘；栅极及第二辅助电极相互分离且相互绝缘；在第二导体层远离第一导体层的一侧依次形成第一绝缘层、半导体层、第三导体层，其中，第一绝缘层覆盖第一辅助电极、像素电极、栅极及第二辅助电极；使用第二掩膜版使半导体层形成薄膜晶体管的有源层，使第三导体层形成薄膜晶体管的源/漏电极；在第三导体层远离半导体层的一侧形成第二绝缘层，第二绝缘层覆盖有源层、源/漏电极与第一绝缘层；使用第三掩膜版形成贯穿第二绝缘层和第一绝缘层的过孔，过孔露出至少部分像素电极、第二辅助电极靠近栅极的侧面、源/漏电极靠近像素电极的侧面；在第二绝缘层远离第三导体层的一侧形成第四导体层；使用第四掩膜版使第四导体层形成多个公共电极及连接导体；其中连接导体通过一个过孔连接源/漏电极靠近栅极的侧面、第二辅助电极靠近栅极的侧面和部分像素电极；其中，公共电极和连接导体之间相互电绝缘；其中源/漏电极的与有源层所在平面具有夹角的表面为源/漏电极的侧面；第二辅助电极的与衬底基板所在平面具有夹角的表面为第二辅助电极的侧面。

本申请提供的阵列基板及阵列基板的制作方法，通过设置像素电极、源/漏电极以及第二辅助电极，使得连接导体可以通过一个过孔连接源/漏电极靠近像素电极的侧面、第二辅助电极靠近栅极的侧面和像素电极，可以减少过孔的数量以及过孔在衬底基板上的占位面积，提高像素的开口率。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：