[发明专利]阵列基板、液晶显示面板及阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板、多个公共电极，以及设置在所述衬底基板与所述公共电极之间的薄膜晶体管、像素电极、第一辅助电极和第二辅助电极；所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源/漏电极；

所述第一辅助电极与所述像素电极同层、相互分离且相互绝缘；所述第一辅助电极与所述像素电极设置在所述衬底基板面向所述公共电极的一侧；

所述第二辅助电极与所述栅极同层、相互分离且相互绝缘；

所述有源层设置在所述栅极远离所述第一辅助电极的一侧；

所述栅极与所述有源层之间设置第一绝缘层，且所述第一绝缘层覆盖所述栅极、所述第一辅助电极、所述像素电极及所述第二辅助电极；

所述源/漏电极设置在所述有源层远离所述第一绝缘层的一侧，且所述源/漏电极与所述有源层接触；

所述源/漏电极与所述公共电极之间设置第二绝缘层，且所述第二绝缘层覆盖所述有源层、所述源/漏电极与所述第一绝缘层；

过孔贯穿所述第一绝缘层与所述第二绝缘层；

连接导体通过一个所述过孔连接所述源/漏电极靠近所述像素电极的侧面、第二辅助电极靠近所述栅极的侧面和部分所述像素电极；

所述连接导体与所述公共电极同层且相互绝缘；其中

所述源/漏电极与所述有源层所在平面具有夹角的表面为所述源/漏电极的侧面；

所述第二辅助电极与所述衬底基板所在平面具有夹角的表面为所述第二辅助电极的侧面。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极与所述第二辅助电极分别设置在所述第一辅助电极与所述像素电极的远离所述衬底基板的一侧。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，形成所述第二辅助电极的材料的电导率大于形成所述像素电极的材料的电导率。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅极线，所述栅极线在其延伸方向上连接多个栅极；

所述源/漏电极的形状为矩形；

设置有所述过孔的所述第二绝缘层的开口为条状开口；

所述第二辅助电极为条状第二辅助电极；

且所述条状开口与所述条状第二辅助电极平行于所述栅极线。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述栅极线沿第一方向延伸；

所述条状开口沿所述第一方向的宽度小于所述像素电极沿所述第一方向的宽度；

所述条状第二辅助电极沿所述第一方向的宽度小于所述像素电极沿所述第一方向的宽度。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，

所述条状开口向所述衬底基板的正投影为矩形，所述矩形的长宽比大于等于3。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，

所述条状第二辅助电极向所述衬底基板的正投影为矩形，所述矩形的长宽比大于等于5。

8.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述源/漏电极的形状为弧形；

设置所述过孔的所述第二绝缘层的开口为弧形开口；

所述第二辅助电极为弧形第二辅助电极；

所述弧形开口的形状及所述弧形第二辅助电极的形状均与所述所述弧形源/漏电极的形状相同。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极向所述衬底基板的正投影与所述像素电极向所述衬底基板的正投影之间无重叠；

所述有源层向所述衬底基板的正投影与所述像素电极向所述衬底基板的正投影部分重叠。

10.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，设置有所述过孔的所述第二绝缘层的开口向所述衬底基板的正投影与所述第二辅助电极向所述衬底基板的正投影部分重叠。

11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极与所述连接导体的材料为透明导电材料；

所述像素电极与所述第一辅助电极的材料为透明导电材料。

12.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的材料包括以下任意一种：非晶硅、多晶硅、氧化物半导体。

13.一种液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板包括如权利要求1-12任意一项所述的阵列基板。