[发明专利]一种调控磁性纳米环尺寸的方法

权利要求书

1.一种调控磁性纳米环尺寸的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一：选取一种基片作为薄膜样品的衬底，切割成长10mm、宽10mm、厚0.5mm的大小；丙酮超声波清洗10-15min，再用去离子水超声波清洗10-15min，最后用无水乙醇超声波清洗10-15min，清洗干净后取出基片用高纯氮气吹干备用；

步骤二：选取一种聚苯乙烯微球乳液，按照乳液与去离子水体积比1:200进行稀释后，在超声波清洗器中超声分散10-15min，使聚苯乙烯微球充分分散；将分散好的聚苯乙烯微球溶液滴在步骤一中清洗干净的基片上，放置干燥箱中干燥；

步骤三：待基片充分干燥后，将其放入磁控溅射腔内，用磁控溅射方法先在基片上沉积非磁性过渡层，再沉积一层磁性薄膜，将基片放置于离子刻蚀仪器中，对薄膜进行离子减薄；在聚苯乙烯纳米微球周围形成环状的磁性纳米结构，即磁性纳米环。聚苯乙烯微球根据需要与否，用丙酮溶液将其从基片上清洗掉，得到磁性纳米环。

2.根据权利要求1所述的一种调控磁性纳米环尺寸的方法，其特征在于，所述步骤二中的基片与水平面成15°角放置在干燥箱中干燥，干燥箱温度维持在55℃。

3.根据权利要求1所述的一种调控磁性纳米环尺寸的方法，其特征在于，所述磁性纳米环的材料是铁、钴、镍单质铁磁性金属中的任意一种，或是以铁、钴、镍为基体的铁磁性合金材料中的任意一种，或是铁磁性氧化物中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的一种调控磁性纳米环尺寸的方法，其特征在于，所述非磁性过渡层材料是非磁性金属、非磁性绝缘体、其他非磁性合金或氧化物材料。

5.根据权利要求1所述的一种调控磁性纳米环尺寸的方法，其特征在于，所述基片材料为非磁性绝缘体材料。