[发明专利]封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

晶圆，所述晶圆包括芯片区域以及环绕所述芯片区域的外围区域；

位于所述芯片区域以及外围区域的晶圆上的第一钝化层；

位于所述芯片区域的第一钝化层上的若干分立的铝电极层；

位于所述第一钝化层上的第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述铝电极层的顶部和侧壁；

位于所述芯片区域和外围区域的第二钝化层上的聚合物隔离层；

位于所述芯片区域的聚合物隔离层中的金属再布线层，且所述金属再布线层与所述铝电极层电连接；

位于所述外围区域的晶圆上的密封环结构；

位于所述外围区域的聚合物隔离层中的阻挡墙结构，所述阻挡墙结构位于所述密封环结构与所述芯片区域之间，所述阻挡墙结构位于所述外围区域的第一钝化层上，且所述阻挡墙结构环绕所述芯片区域的铝电极层。

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二钝化层的材料包括氮化硅；所述聚合物隔离层的材料为聚酰亚胺。

3.如权利要求1或2所述的封装结构，其特征在于，所述第二钝化层包括TEOS层以及位于所述TEOS层上的氮化硅层。

4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述阻挡墙结构顶部与所述金属再布线层顶部齐平；所述阻挡墙结构底部与所述铝电极层底部齐平。

5.如权利要求1或4所述的封装结构，其特征在于，在垂直于所述晶圆表面且沿所述第一钝化层指向聚合物隔离层的方向上，所述阻挡墙结构包括：第一电极层，所述第一电极层与所述铝电极层处于同层；与所述第一电极层电连接的电极插塞，所述电极插塞在所述晶圆上的投影图形环绕所述芯片区域铝电极层在所述晶圆上的投影图形；与所述电极插塞电连接的第二电极层，所述第二电极层与所述金属再布线层处于同层。

6.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第一电极层的材料为铝；所述电极插塞的材料为铜；所述第二电极层的材料为铜。

7.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述电极插塞的数量为1，所述电极插塞构成封闭环形；所述第一电极层构成封闭环形；所述第二电极层构成封闭环形。

8.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述电极插塞的数量为多个；且在平行于所述晶圆表面方向上，相邻电极插塞之间的距离小于或等于所述电极插塞的宽度尺寸的2倍。

9.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第一电极层环绕所述芯片区域的铝电极层，且所述第一电极层构成封闭环形；或者，所述第一电极层环绕所述芯片区域的铝电极层，且所述第一电极层包括相互分立且顺次排布的第一子电极层。

10.如权利要求9所述的封装结构，其特征在于，在平行于所述晶圆表面方向的剖面上，所述芯片区域的形状为方形；所述第一子电极层的数量为4，且每一第一子电极层对应位于所述芯片区域的一侧。

11.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二电极层环绕所述芯片区域的铝电极层，且所述第二电极层构成封闭环形；或者，所述第二电极层环绕所述芯片区域的铝电极层，且所述第二电极层包括若干相互分立且顺次排布的第二子电极层。

12.如权利要求11所述的封装结构，其特征在于，在平行于所述晶圆表面方向的剖面上，所述芯片区域的形状为方形；所述第二子电极层的数量为4，且每一第二子电极层对应位于所述芯片区域的一侧。

13.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二电极层在所述晶圆上的投影图形与所述第一电极层在所述晶圆上的投影图形相重合。