[发明专利]阵列基板及其制备方法和应用

说明书

本发明提出了阵列基板及其制备方法和应用。该制备阵列基板的方法包括：在衬底基板上形成钝化层；在钝化层远离衬底的一侧形成光刻胶层，并对光刻胶层进行构图工艺形成具有开口图案的光掩膜；对开口图案对应的钝化层区域进行离子注入；刻蚀开口图案对应的钝化层区域，形成贯穿所述钝化层的过孔；剥离光掩膜。本发明所提出的制备方法，通过预先注入离子，使得钝化层刻蚀过程中凹槽的两侧侧壁和底壁形成一层薄薄的保护膜，由于底壁的保护膜相较于两侧壁的更容易被刻蚀掉，从而使垂直方向的刻蚀速度快于侧向的刻蚀速度，从而可有效控制钝化层刻蚀方向，能有效地解决底切不良现象所带来的阵列基板制作良品率降低的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体的，本发明涉及阵列基板及其制备方法和应用。更具体的，涉及制备阵列基板的方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

传统的TFT产品制作过程中，制作钝化层的材质通常会选择SiN_x，并且该SiN_x钝化层一般分为三层：过渡亚层、主体亚层和顶亚层。其中，过渡亚层的作用是避免钝化层主体与像素电极直接接触产生黑点不良，且过渡亚层的SiNx密度较小；顶亚层的作用是在等离子体刻蚀中起到缓冲作用，并使过孔达到一定的坡度角和尺寸。所以，由于亚层结构的疏松程度不同，造成了各亚层的刻蚀速率不同。

目前，在制作TFT基板的钝化层过孔过程中，由于钝化层的主体亚层与底部过渡亚层的刻蚀速率不同，参考图1，在刻蚀过程中容易出现底切倒角的现象，参考图2，进而容易造成顶部ITO层与S/D电极层之间出现接触跨断的问题，从而可能导致TFT产品显示异常甚至无法显示，最终造成了TFT基板制作的良品率降低。

因此，现阶段的TFT基板的制作方法仍有待改进。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

本发明是基于发明人的下列发现而完成的：

本发明人在研究过程中发现，传统的制作TFT产品钝化层过孔的步骤中，采用活性等离子体进行刻蚀，等离子体比较容易进入较疏松的顶亚层，而能达到刻蚀的目的；而当刻蚀到过渡亚层时，由于其刻蚀速率与主体亚层的不同则会产生缩进(即过渡亚层的侧向刻蚀程度大于相邻的主体亚层底部)，也就产生了底切不良的现象，具体结构示意图参考图1。

为了解决上述技术问题，本发明的发明人经过深入研究发现，在制作完钝化层过孔的光刻胶掩膜图案后，先利用光刻胶掩膜图案为阻挡层，进行金属铝离子注入，使未被光刻胶保护区域的氮化硅中均匀地分布金属铝离子；如此，当利用刻蚀气体刻蚀氮化硅钝化层的过程中，刻蚀凹槽的两侧侧壁表层中的金属铝会生成一层薄薄的抗等离子体刻蚀性强的保护膜，因此，可以保护钝化层在刻蚀过程中不会被过度侧向刻蚀而避免产生底切倒角的技术问题。

有鉴于此，本发明的一个目的在于提出一种能有效控制钝化层刻蚀方向、防止底切不良问题或操作简单的制备阵列基板的方法。

在本发明的第一方面，本发明提出了一种制备阵列基板的方法。

根据本发明的实施例，所述方法包括：在衬底基板上形成钝化层；在所述钝化层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行构图工艺形成具有开口图案的光掩膜；对所述开口图案对应的钝化层区域进行离子注入；刻蚀所述开口图案对应的钝化层区域，形成贯穿所述钝化层的过孔；剥离所述光掩膜。

采用本发明实施例的制备方法，通过预先注入金属离子，使得钝化层刻蚀过程中凹槽的两侧侧壁和底壁形成一层薄薄的保护膜，由于底壁的保护膜相较于两侧壁的更容易被刻蚀掉，从而使垂直方向的刻蚀速度快于侧向的刻蚀速度，从而可有效控制钝化层刻蚀方向，能有效地解决底切不良现象所带来的阵列基板制作良品率降低的问题。

另外，根据本发明上述实施例的制备方法，还可以具有如下附加的技术特征：