[发明专利]阵列基板及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201710184240.5 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN106935545B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 宫奎 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 赵天月<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 230012 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种制备阵列基板的方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成钝化层；
在所述钝化层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行构图工艺形成具有开口图案的光掩膜；
对所述开口图案对应的钝化层区域进行离子注入，且所述注入的离子为铝离子；
刻蚀所述开口图案对应的钝化层区域，形成贯穿所述钝化层的过孔，且所述刻蚀采用的气体为SF6和CF4中的至少一种以及O2；
剥离所述光掩膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成钝化层之前，进一步包括：
在所述衬底基板上形成源漏电极层，且所述源漏电极层和所述钝化层是形成在所述衬底的同侧。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成所述钝化层进一步包括：
在所述源漏电极层的远离所述衬底的一侧形成过渡亚层；
在所述过渡亚层远离所述衬底的一侧形成主体亚层；以及
在所述主体亚层远离所述衬底的一侧形成顶亚层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述注入铝离子的方法为金属蒸发真空弧离子注入方法。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述金属蒸发真空弧离子注入方法采用的阴极材料是纯度不小于90w/w％的金属铝。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述铝离子的注入剂量为4×1016～6×1016ion/cm2。
7.一种阵列基板，其特征在于，是通过权利要求1-6任一项所述的方法制备的。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
