[发明专利]控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质

说明书

提供一种控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质。本实施方式的控制装置对基板处理装置的动作进行控制，该基板处理装置用于在基板形成基于原子层沉积的膜，该控制装置具有：制程存储部，其用于存储与所述膜的种类相应的成膜条件；模型存储部，其用于存储表示所述成膜条件对所述膜的特性产生的影响的工艺模型；记录存储部，其用于存储成膜时的所述成膜条件的实际测量值；以及控制部，其基于根据所述制程存储部所存储的所述成膜条件形成的所述膜的特性的测定结果、所述模型存储部所存储的所述工艺模型、以及所述记录存储部所存储的所述成膜条件的实际测量值来计算满足设为目标的所述膜的特性的成膜条件。

本发明基于在2016年03月24日申请的日本专利特愿第2016-059725号的优先权，该日本申请的全部内容被引入本发明。

技术领域

本发明涉及一种控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，当在半导体晶圆(晶圆)等基板形成具有规定特性的膜的情况下，预先计算获得具有规定特性的膜的最优成膜条件，使用计算出的最优成膜条件来在基板上形成膜。在计算最优成膜条件的情况下，需要关于半导体制造装置、半导体工艺的知识、经验，有时无法容易地计算最优成膜条件。

以往，作为计算最优成膜条件的系统，已知一种只由操作者输入目标膜厚、控制部计算接近目标膜厚的最优温度的热处理系统(例如，参照日本特开2013-207256号)。根据该系统，控制部参照由膜厚测定器测定出的膜厚数据来计算出最优成膜条件。

发明内容

本发明的一个方式涉及一种控制装置，对基板处理装置的动作进行控制，该基板处理装置用于在基板形成基于原子层沉积的膜，该控制装置具有：制程存储部，其用于存储与所述膜的种类相应的成膜条件；模型存储部，其用于存储表示所述成膜条件对所述膜的特性产生的影响的工艺模型；记录存储部，其用于存储成膜时的所述成膜条件的实际测量值；以及控制部，其基于根据所述制程存储部所存储的所述成膜条件形成的所述膜的特性的测定结果、所述模型存储部所存储的所述工艺模型、以及所述记录存储部所存储的所述成膜条件的实际测量值，来计算满足设为目标的所述膜的特性的成膜条件。

上述的概括只用于说明，并不意图限制在任一方式。通过参照附图和以下的详细说明，除了上述的说明性的方式、实施例以及特征变得明确之外，追加的方式、实施例以及特征也变得明确。

附图说明

图1是示出本实施方式的基板处理装置的一例的概要结构图。

图2是示出本实施方式的控制装置的一例的概要结构图。

图3是示出本实施方式的控制装置的动作的一例的流程图。

图4是示出调整处理前与调整处理后的各区带中的加热器的设定温度的图。

图5是示出调整处理前与调整处理后的ALD的周期个数的图。

图6是示出调整处理前与调整处理后的各区带中的SiN膜的膜厚的图。

图7是示出调整处理前与调整处理后的SiN膜的膜厚的面间均匀性的图。

具体实施方式

在以下的详细说明中，参照形成说明书的一部分的附图。详细说明、附图以及权利要求书所记载的说明性的实施例并不是意图进行限制。在不脱离此处示出的本发明的思想或范围的情况下，能够使用其它实施例并能够进行其它变形。

然而，在通过原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)在基板形成具有规定特性的膜的情况下，难以调整多个参数(例如温度、气体流量、压力、周期个数)来计算最优成膜条件。

因此，另一个侧面，本公开的目的在于，提供一种即使是关于半导体制造装置、半导体工艺的知识、经验少的操作者也能够容易地计算在基板形成基于原子层沉积的膜的最优成膜条件的控制装置。