[发明专利]控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质

权利要求书

1.一种控制装置，对基板处理装置的动作进行控制，该基板处理装置用于在基板形成基于原子层沉积的膜，该控制装置具有：

制程存储部，其用于存储与所述膜的种类相应的成膜条件，其中，所述成膜条件包括所述基板的温度以及原子层沉积的周期个数；

模型存储部，其用于存储表示所述基板的温度对所述膜的膜厚产生的影响的温度-膜厚模型、以及表示所述原子层沉积的周期个数对所述膜的膜厚产生的影响的周期个数-膜厚模型；

记录存储部，其用于存储成膜时的所述成膜条件的实际测量值；以及

控制部，其判定根据所述制程存储部所存储的所述成膜条件形成的所述膜的膜厚的测定结果是否超出允许范围，在判定为所述膜的膜厚的测定结果不是允许范围内的情况下，执行制程最优化计算，在判定为所述膜的膜厚的测定结果是允许范围内的情况下，不执行所述制程最优化计算，其中，在所述制程最优化计算中，基于所述膜的膜厚的测定结果、所述模型存储部所存储的所述温度-膜厚模型以及所述周期个数-膜厚模型、以及所述记录存储部所存储的所述成膜条件的实际测量值，来计算满足设为目标的所述膜的膜厚的所述基板的温度以及所述原子层沉积的周期个数。

2.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，

在所述模型存储部中，还存储有表示所述基板的温度与对所述基板进行加热的加热器的设定温度之间的关系的热模型，

所述控制部基于所述模型存储部所存储的所述热模型来决定所述加热器的设定温度，使得所述基板的温度成为根据所述温度-膜厚模型计算出的温度。

3.根据权利要求2所述的控制装置，其特征在于，

所述控制部基于所述记录存储部所存储的所述成膜条件的实际测量值来调整所述成膜条件以避免所述加热器的功率饱和。

4.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，

所述控制部利用最优化算法来计算满足设为目标的所述膜的膜厚的成膜条件。

5.一种基板处理系统，具有：

基板处理装置，其用于在基板形成基于原子层沉积的膜；以及

控制装置，其用于对所述基板处理装置的动作进行控制，

其中，所述控制装置具有：

制程存储部，其用于存储与所述膜的种类相应的成膜条件，其中，所述成膜条件包括所述基板的温度以及原子层沉积的周期个数；

模型存储部，其用于存储表示所述基板的温度对所述膜的膜厚产生的影响的温度-膜厚模型、以及表示所述原子层沉积的周期个数对所述膜的膜厚产生的影响的周期个数-膜厚模型；

记录存储部，其用于存储成膜时的所述成膜条件的实际测量值；以及

控制部，其判定根据所述制程存储部所存储的所述成膜条件形成的所述膜的膜厚的测定结果是否超出允许范围，在判定为所述膜的膜厚的测定结果不是允许范围内的情况下，执行制程最优化计算，在判定为所述膜的膜厚的测定结果是允许范围内的情况下，不执行所述制程最优化计算，其中，在所述制程最优化计算中，基于所述膜的膜厚的测定结果、所述模型存储部所存储的所述温度-膜厚模型以及所述周期个数-膜厚模型、以及所述记录存储部所存储的所述成膜条件的实际测量值，来计算满足设为目标的所述膜的膜厚的所述基板的温度以及所述原子层沉积的周期个数。

6.根据权利要求5所述的基板处理系统，其特征在于，

所述基板处理装置具有：

基板保持器具，其沿垂直方向隔开规定的间隔地保持多个所述基板；

处理容器，其用于收容所述基板保持器具；以及

气体供给单元，其用于向所述处理容器内供给第一处理气体和同所述第一处理气体进行反应的第二处理气体。

7.根据权利要求6所述的基板处理系统，其特征在于，

所述第一处理气体是二氯甲硅烷气体，

所述第二处理气体是氨气。