[发明专利]一种TFT‑LCD/AMOLED平面显示器宽幅钼靶材的轧制工艺

说明书

技术领域

本发明属于溅射靶材制备技术领域，具体涉及一种TFT-LCD/AMOLED平面显示器用宽幅钼靶材的制备工艺。

背景技术

随着显示技术的迭代更新，AMOLED有望成为继LCD后的“下一代显示技术”。AMOLED具有的诸多优点包括高亮度、高对比度、高色域范围和可视角度，低能耗、更轻薄以及柔性特点。随着AMOLED技术的不断从成熟，良率以及产能的提升，其应用场景将大大扩展，包括智能手机、智能硬件、VR、照明等领域都将是应用重点。AMOLED显示与照明的市场空间广阔，全产业链有望快速发展。作为TFT-LCD/AMOLED平面显示器用钼靶材用量逐步增大。

宽幅钼靶材主要用于4.5-6代线TFT-LCD/AMOLED平面显示器，一般厚度为12-18mm，宽度1000-1800mm，长度1200-2300mm，单重大于200kg，技术要求高，密度大于10.18g/cm³，显微金相组织要求为均匀等轴晶粒，平均晶粒尺寸不超过100μm，钼板内部无异常缺陷，板面平整度高。常规小尺寸钼板轧制方法为氢气炉保护加热，直接轧制。大尺寸钼板重量和成品尺寸大，常规轧机无法轧制，需要在定制大型氢气炉里加热，通过快速辊道输送给宽幅轧机，轧制完成，回炉退火后利用余热进入九辊校平机校平，得到钼板平整度小于2mm，平均晶粒尺寸小于100μm，扫描探伤后内部组织无异常缺陷。

中国专利CN102534519A公开了一种LCD平板显示器溅射靶材用大尺寸钼板的制备方法，该方法为 ：1） 在常规方法压制和烧结的钼板坯表面均匀涂刷抗氧化涂层 ；2）将涂刷有抗氧化涂层的钼板坯用钢包套包覆 ；3）对包覆有钢包套的钼板坯进行一火次的轧制，然后置于冷床上冷却 ；4）将冷却后的钼板坯轧制至厚度为 19mm～24mm(含钢包套) ；5）将轧制的钼板坯进行校平处理，去除钢包套，切割，得到半成品钼板 ；6）将半成品钼板进行真空热处理，得到 LCD 平板显示器溅射靶材用大尺寸钼板。该方法的不足之处在于，刷涂层和包覆钢套工序复杂，造成成本浪费，高温加热过程中引入其他杂质元素影响靶材纯度。

中国专利CN104624642A公开了一种溅射靶材用大单重宽幅钼板带的轧制方法，该方法生产钼板带厚度4.5mm，属于薄钼板，密度只有10.01 g/cm³不能满足现在TFT-LCD/AMOLED平面显示器的密度大于10.18g/cm³，平均晶粒尺寸不超过100μm的使用要求。

发明内容

本发明提供了一种TFT-LCD/AMOLED平面显示器用宽幅钼靶材的制备工艺，解决了现有宽幅钼靶材的制备方法中需要刷涂层和包覆钢套工序复杂，造成成本浪费，高温加热过程中引入其他杂质元素影响靶材纯度等问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案：

一种TFT-LCD/AMOLED平面显示器宽幅钼靶材的轧制工艺，包括以下步骤：

（1）、选择尺寸为70-120mm~500-800mm~900-1300mm钼板坯为原料，钼板坯的端口设有咬入角，保证钼板坯能够顺利咬入宽幅轧机，顺利完成轧制工序；

（2）、钼烧结坯进行第一次加热；

（3）、加热完成后的钼坯放入辊道，进行一火次轧制，轧制加工率为50%-60%；

（4）、一火轧制完成后，进行90度角换向，然后进行第二次加热；

（5）、加热完成后，进行二火轧制，轧制后的板坯厚度为12-18mm，所述轧制加工率为20%-30%；

（6）、将轧制成的半成品钼板厚度为12-18mm，宽度1000-1800mm，长度1200-2300mm，利用轧制余热送入进行预校平；

（7）、预校平后的所述半成品钼板在氢气炉中900-1100℃热处理2-3h，然后最终校平处理，得到宽幅钼靶材。

优选地：所述的加热完成后的钼坯进入辊道，需要对辊道进行预热，预热温度为200-400度。

优选地：所述的辊道预热采用加热好的钼板进入轧机空轧来预热宽幅轧机轧辊。

优选地：所述的咬入角为30度。咬入角要根据不同轧制机来确认，本发明采用30度，可以保证钼板坯能够顺利咬入宽幅轧机，顺利完成轧制工序。

优选地：所述的第一次加热的温度为1350℃-1450℃，时间为3-5h。

优选地：所述的第二次加热的1350℃-1450℃，时间为2-4h。

优选地：所述的一火次轧制的道次加工率为10％～30％。