[发明专利]一种TFT‑LCD/AMOLED平面显示器宽幅钼靶材的轧制工艺

权利要求书

1.一种TFT-LCD/AMOLED平面显示器宽幅钼靶材的轧制工艺，其特征在于，包括以下步骤：

（1）、选择尺寸为70-120mm~500-800mm~900-1300mm钼烧结坯为原料，钼板坯的端口设有咬入角，保证钼板坯能够顺利咬入宽幅轧机，顺利完成轧制工序；

（2）、钼烧结坯和预热轧辊的钼板进行第一次加热；

（3）、将加热好的钼板进入轧机空轧来预热宽幅轧机轧辊；

（4）、加热完成后的钼坯放入预热后的辊道，进行一火次轧制，轧制加工率为50%-60%；

（5）、一火轧制完成后，进行90度角换向，然后进行第二次加热；

（6）、加热完成后，进行二火轧制，轧制后的板坯厚度为12-18mm，所述轧制加工率为20%-30%；

（7）、将轧制成的半成品钼板厚度为12-18mm，宽度1000-1800mm，长度1200-2300mm，利用轧制余热送入进行预校平；

（8）、预校平后的所述半成品钼板在氢气炉中900-1100℃热处理2-3h，然后最终校平处理，得到宽幅钼靶材。

2.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD/AMOLED平面显示器宽幅钼靶材的轧制工艺，其特征在于：所述的加热完成后的钼板坯进入辊道，需要对辊道进行预热，预热温度为200-400度。

3.根据权利要求2所述的一种TFT-LCD/AMOLED平面显示器宽幅钼靶材的轧制工艺，其特征在于：所述的辊道预热采用加热好的钼板进入轧机空轧来预热宽幅轧机轧辊。

4.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD/AMOLED平面显示器宽幅钼靶材的轧制工艺，其特征在于：所述的咬入角为30度。

5.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD/AMOLED平面显示器宽幅钼靶材的轧制工艺，其特征在于：所述的第一次加热的温度为1350℃-1450℃，时间为3-5h。

6.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD/AMOLED平面显示器宽幅钼靶材的轧制工艺，其特征在于：所述的第二次加热的1350℃-1450℃，时间为2-4h。

7.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD/AMOLED平面显示器宽幅钼靶材的轧制工艺，其特征在于：所述的一火次轧制的道次加工率为10％～30％。

8.根据权利要求1所述的一种TFT-LCD/AMOLED平面显示器宽幅钼靶材的轧制工艺，其特征在于：所述的二火次轧制的道次加工率为10％～30％。