[发明专利]多层陶瓷电容器

说明书

本发明涉及一种多层陶瓷电容器，其包括：一对外部电极；第一内部电极，其包含贱金属并且连接到上述外部电极中的一个；电介质层，其层叠在第一内部电极上并且包含陶瓷材料和上述贱金属；以及第二内部电极，其层叠在电介质层上，包含上述贱金属，并且连接到上述一对外部电极中的另一个，五个区域中每一个的贱金属浓度在该五个区域的贱金属浓度均值的±20％内，上述五个区域是在第一内部电极和第二内部电极之间在层叠方向上距离第一内部电极和第二内部电极50nm的两位置之间的区域的等分区域，在第一内部电极和第二内部电极之间电介质层中在层叠方向上的平均晶粒数量为三个或更少。

技术领域

本发明的某方面涉及一种多层陶瓷电容器。

背景技术

为了实现小型大容量的多层陶瓷电容器，已经减薄了电介质层并且增加了层叠电介质层的数量。决定着多层陶瓷电容器的特性的电介质层的设计是重要的。例如，公开了将Ni扩散到内部电极之间距离的3％至30％以改善电容的温度特性的技术(例如，参见日本专利申请公开第10-4027号，下文称为专利文献1)。

日本专利申请公开第2012-129508号(以下称为专利文献2)公开了一种通过管理构成电介质层的介电陶瓷组合物的晶界中的Mg丰度和Si丰度而提高多层陶瓷电子部件的静电电容的相对介电常数和温度特性的技术。另外，其公开了通过控制晶界中的Ni丰度来改善高温下的寿命。

但是，在专利文献1的技术中，由于在层叠方向上贱金属未在电介质层的中央部扩散，因此，贱金属的浓度可能在层叠方向上局部较高。具有高浓度贱金属的部分使电介质层的介电常数降低。专利文献2的技术没有公开电极之间的电介质层在层叠方向上的贱金属浓度分布。另外，没有对烧结后的晶粒进行说明，并且没有描述单个电介质层中的晶粒数量。因此，没有关于抑制绝缘电阻的差异的描述。

发明内容

根据本发明的一方面，提供一种多层陶瓷电容器，其包括：一对外部电极；第一内部电极，其包含贱金属并且连接到所述一对外部电极中的一个；电介质层，其层叠在所述第一内部电极上并且包含陶瓷材料和所述贱金属；以及第二内部电极，其层叠在所述电介质层上，包含所述贱金属，并且连接到所述一对外部电极中的另一个，其中五个区域的每一个中的贱金属浓度在所述五个区域中的贱金属浓度的均值的±20％内，所述五个区域通过在层叠方向将所述电介质层的区域等分为五个而得到，所述电介质层的所述区域位于所述第一内部电极和所述第二内部电极之间在所述层叠方向上从与所述第一内部电极相距50nm的位置到与所述第二内部电极相距50nm的位置，并且在所述第一内部电极和所述第二内部电极之间所述电介质层在层叠方向上的平均晶粒数量为三个或更少。

附图说明

图1是多层陶瓷电容器的局部横截面透视图；

图2是沿图1中的A-A线的横截面视图；

图3是图2的局部放大图；

图4示出晶粒和晶界；

图5是示出制造多层陶瓷电容器的方法的流程图；且

图6示出实施例和比较例。

具体实施方式

将参考附图给出对实施方式的描述。

实施方式

将描述多层陶瓷电容器。图1是多层陶瓷电容器100的局部横截面透视图。如图1所示，多层陶瓷电容器100包括具有长方体形状的多层芯片10，以及位于多层芯片10的相对端面上的外部电极20和外部电极30。