[发明专利]多层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，包括：

一对外部电极；

第一内部电极，其包含贱金属并且连接到所述一对外部电极中的一个；

电介质层，其层叠在所述第一内部电极上并且包含陶瓷材料和所述贱金属；以及

第二内部电极，其层叠在所述电介质层上，包含所述贱金属，并且连接到所述一对外部电极中的另一个，其中

五个区域的每一个中的所述贱金属的浓度在所述五个区域中的所述贱金属的浓度均值的±20％内，所述五个区域通过在层叠方向将所述电介质层的区域等分为五个而得到，所述电介质层的所述区域位于所述第一内部电极和所述第二内部电极之间在所述层叠方向上从与所述第一内部电极相距50nm的位置到与所述第二内部电极相距50nm的位置，

在所述第一内部电极和所述第二内部电极之间所述电介质层在层叠方向上的平均晶粒数量为三个或更少，且

其中位于从与所述第一内部电极相距50nm的位置到与所述第二内部电极相距50nm的位置的所述区域包括所述陶瓷材料的晶粒和所述晶粒的晶粒边界。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中

所述五个区域的每一个中的所述贱金属的浓度在所述五个区域中的所述贱金属的浓度均值的±10％内。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中

所述五个区域的每一个中的所述贱金属的浓度在所述五个区域中的所述贱金属的浓度均值的±5％内。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的多层陶瓷电容器，其中

所述陶瓷材料为BaTiO₃，且

所述电介质层具有如下的组成，其中Y、Dy和Ho中的一种或多种的总摩尔浓度与Ti的摩尔浓度之比为0.01或更高。

5.根据权利要求1或2所述的多层陶瓷电容器，其中

所述电介质层的厚度为0.6μm或更小。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的多层陶瓷电容器，其中所述贱金属是Ni。

7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中

多个电介质层隔着内部电极层叠，且

所述多个电介质层中的80％或更多是如下的电介质层，

五个区域的每一个中的所述贱金属的浓度在所述五个区域中的所述贱金属的浓度均值的±20％内，所述五个区域通过在层叠方向将所述电介质层的区域等分为五个而得到，所述电介质层的所述区域位于所述第一内部电极和所述第二内部电极之间在所述层叠方向上从与所述第一内部电极相距50nm的位置到与所述第二内部电极相距50nm的位置，

在所述第一内部电极和所述第二内部电极之间所述电介质层在层叠方向上的平均晶粒数量为三个或更少，且

其中位于从与所述第一内部电极相距50nm的位置到与所述第二内部电极相距50nm的位置的所述区域包括所述陶瓷材料的晶粒和所述晶粒的晶粒边界。

8.根据权利要求7所述的多层陶瓷电容器，其中

多个电介质层隔着内部电极层叠，且

所述多个电介质层中的80％或更多是如下的电介质层，

五个区域的每一个中的所述贱金属的浓度在所述五个区域中的所述贱金属的浓度均值的±10％内，所述五个区域通过在层叠方向将所述电介质层的区域等分为五个而得到，所述电介质层的所述区域位于所述第一内部电极和所述第二内部电极之间在所述层叠方向上从与所述第一内部电极相距50nm的位置到与所述第二内部电极相距50nm的位置，

在所述第一内部电极和所述第二内部电极之间所述电介质层在层叠方向上的平均晶粒数量为三个或更少，且

其中位于从与所述第一内部电极相距50nm的位置到与所述第二内部电极相距50nm的位置的所述区域包括所述陶瓷材料的晶粒和所述晶粒的晶粒边界。