[发明专利]电子封装件及其基板构造

说明书

一种电子封装件及其基板构造，包括上侧用以承载芯片的含硅基板、以及形成于该含硅基板下侧的线路结构，令该线路结构用以结合焊球的电性接触垫的规格等同于一般封装基板于植球垫的规格，以省略现有封装基板的相关制程。

技术领域

本发明有关一种半导体封装制程，尤指一种电子封装件及其基板构造。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。目前应用于芯片封装领域的技术，例如芯片尺寸构装(Chip Scale Package，简称CSP)、芯片直接贴附封装(Direct Chip Attached，简称DCA)或多芯片模组封装(Multi-Chip Module，简称MCM)等覆晶型态的封装模组、或将芯片立体堆叠化整合为三维集成电路(3D IC)芯片堆叠技术等。

图1为现有三维积体电路芯片堆叠的半导体封装件1的剖面示意图。首先，提供一具有相对的转接侧10a与置晶侧10b的硅中介板(Through Silicon interposer，简称TSI)10，且该硅中介板10具有多个连通该置晶侧10b与转接侧10a的导电硅穿孔(Through-silicon via，简称TSV)100，并于该置晶侧10b上形成线路结构11以供接置一具有较小焊锡凸块130间距的半导体芯片13，再将该硅中介板10以其转接侧10a透过多个导电元件101设于一具有较大线距的封装基板18上，并使该封装基板18电性连接该些导电硅穿孔100，其中，各该导电元件101之间的距离T为40至70微米，该导电元件101的宽度D为25至50微米。接着，形成封装胶体14于该封装基板18上，以令该封装胶体14包覆该半导体芯片13与该硅中介板10。最后，形成多个焊球12于该封装基板18的下侧植球垫180，以供接置于一电路板19上，其中，各该植球垫180(或焊球12)之间的距离R为200至1500微米，且该植球垫180(或焊球12)的最大宽度W为150至800微米。

前述半导体封装件1中，由于该半导体芯片13因应需求微小化，致使该硅中介板10的转接侧10a(或置晶侧10b)的面积也越来越小，而当该硅中介板10的转接侧10a(或置晶侧10b)的面积极小时，该封装基板18将影响该半导体封装件1的翘曲程度。

详言之，该封装基板18为有机材质，故该封装基板18与该硅中介板10的热膨胀系数(CTE)不匹配(mismatch)，因而容易发生热应力不均匀的情况，致使热循环(thermalcycle)时该封装基板18产生极大的翘曲(warpage)，以致于发生植球状况不佳(即该焊球12掉落)、焊球12不沾锡(non-wetting)或该封装基板18裂开等可靠度问题，进而导致应用该半导体封装件1的终端电子产品(如电脑、手机等)产生可靠度问题。

此外，该封装基板18的厚度L极厚(约为100至500微米)，致使现有半导体封装件1的整体高度会超过1㎜(目前封装件的厚度需求需小于1㎜)，且该硅中介板10需通过该些导电元件101设于该封装基板18上，致使该半导体封装件1的整体厚度难以降低，导致应用该半导体封装件1的电子产品难以符合微小化的需求。

因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的种种缺失，本发明提供一种电子封装件及其基板构造，以省略现有封装基板的相关制程。

本发明的基板构造，包括：含硅基板，其具有相对的第一侧与第二侧以及多个形成于该含硅基板中的导电柱；以及线路结构，其形成于该含硅基板的第一侧上且电性连接该导电柱，并具有多个电性接触垫，其中，各该电性接触垫的宽度为150至800微米，且各该电性接触垫之间的距离为200至1500微米。

前述的基板构造中，该线路结构包含有至少一介电层、设于该介电层上的线路层及多个设于该介电层中并电性连接该线路层的导电盲孔，且最外侧的该线路层具有该些电性接触垫。