[发明专利]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201710176970.0 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN107978332B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 仓盛文章 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/407 | 分类号： | G11C11/407;G11C11/409 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
1.一种半导体存储器装置，包括：
读出放大器，从连接于字线及位线的存储器元件读出数据；
第1开关元件，连接于规定的第1电源电压与所述读出放大器的第1电源中间节点之间，在所述读出放大器进行驱动时导通；
第2开关元件，连接于规定的第2电源电压与所述读出放大器的第2电源中间节点之间，在所述读出放大器进行驱动时导通；
均衡器电路，使所述第1电源中间节点及所述第2电源中间节点均衡成所述第1电源中间节点的最大值与所述第2电源中间节点的最小值之间的半值电平；以及
电压保持用电容，分别连接于所述第1电源中间节点及所述第2电源中间节点，将所述第1电源中间节点及所述第2电源中间节点实质上保持为所述第1电源中间节点的最大值与所述第2电源中间节点的最小值之间的所述半值电平，
其中
所述电压保持用电容包含下述(1)至(5)中的至少二个：
(1)电容器元件；
(2)所述第1电源电压与所述第1电源中间节点之间的电源线的寄生电容以及所述第2电源电压与所述第2电源中间节点之间的电源线的寄生电容；
(3)连接于所述第1电源电压与所述第1电源中间节点之间的电源线的晶体管的栅极电容以及连接于所述第2电源电压与所述第2电源中间节点之间的电源线的晶体管的栅极电容；
(4)构成所述第1开关元件及所述第2开关元件的晶体管的接合电容；以及
(5)构成所述均衡器电路的晶体管的接合电容，
所述电压保持用电容的电容值被设定为连接于所述第1电源中间节点及所述第2电源中间节点之间的所述读出放大器的总栅极电容值的10倍。
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