[发明专利]集成电路制造方法

说明书

一种集成电路制造方法，包括：接收具有两个邻接区块的一目标集成电路设计布局，两个邻接区块中的每一个具有根据一图案间距间隔开的目标图案，两个邻接区块具有不同的图案间距；于目标图案之间的间隔中填充芯轴图案化候选区；以一第一颜色以及一第二颜色着色芯轴图案化候选区，包括：将芯轴图案化候选区中的第一个着上第一颜色；以及将任意两个相邻的芯轴图案化候选区着上不同颜色；移除以第二颜色着色的芯轴图案化候选区；以及输出用于掩模制造的计算机可读取格式的一芯轴图案，芯轴图案包括以第一颜色着色的芯轴图案化候选区。

技术领域

本发明实施例涉及用于制造集成电路(IC)的方法，以及特别涉及用于包括具有变化的图案间距的邻接区块的集成电路布局的芯轴以及间隔技术。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了快速成长。集成电路材料以及设计的技术进步产生了数代的集成电路，其中每一代具有比前一代更小以及更复杂的电路。这种缩小过程通常通过提高生产效率以及降低相关成本以提供利益。这种缩小过程也增加集成电路处理以及制造的复杂性。

举例来说，当制造鳍式场效晶体管(FinFET)装置时，通常使用间隔技术以加倍曝光的图案。即最终图案的间距减小至仅为第一次曝光图案的一半。典型的间隔技术使用两个掩模。第一个定义第一次曝光中的芯轴图案，以及第二个定义第二次曝光中的切割图案。切割图案移除芯轴图案不需要的部份、衍生物或者两者。接着，于剩余的芯轴图案的侧壁上形成间隔物图案(spacer pattern)。间隔物图案的间距减小至仅为芯轴图案的间距的一半。间隔物图案用于半导体基板中或者半导体基板上的图案化层，例如于形成用于鳍式场效晶体管的栅极电极的工艺中。

随着装置集成度的增加，通常期望将多个区块或巨集封装至一个集成电路晶片中，并进一步地将其配置为邻接于布局上以节省晶片的面积。这些区或巨集具有各自的图案间距，其可随着区块变化。这些邻接区块或者巨集可包括逻辑区块、静态随机存取存储器(Static Random Access Memory,SRAM)区块以及其它巨集。这些邻接区块中的图案可通过使用上述间隔技术形成。然而，如何有效地且高效地设计用于这些邻接区块的芯轴图案仍具有挑战性，因为当跨越区块的边界时，芯轴图案需要符合不同的图案间距。

发明内容

本发明一实施例提供一种集成电路制造方法，步骤包括：接收具有两个邻接区块的一目标集成电路设计布局，两个邻接区块中的每一个具有根据一图案间距间隔开的目标图案，两个邻接区块具有不同的图案间距；于目标图案之间的间隔中填充芯轴图案化候选区；以一第一颜色以及一第二颜色着色芯轴图案化候选区，包括：将芯轴图案化候选区中的第一个着上第一颜色；以及将任意两个相邻的芯轴图案化候选区着上不同颜色；移除以第二颜色着色的芯轴图案化候选区；以及输出用于掩模制造的计算机可读取格式的一芯轴图案，芯轴图案包括以第一颜色着色的芯轴图案化候选区。

本发明另一实施例提供一种集成电路制造的方法，步骤包括：接收具有邻接区块的一集成电路设计布局，每个邻接区块具有沿着一第一方向根据一图案间距间隔开的目标图案，目标图案具有沿着垂直于第一方向的一第二方向延伸的一细长形状；产生填充介于目标图案之间的间隔的芯轴图案化候选区；将芯轴图案化候选区中的第一个着上一第一颜色；将其它芯轴图案化候选区着上第一颜色以及一第二颜色，使得任意两个相邻的芯轴图案化候选区以不同的颜色着色；移除以第二颜色着色的芯轴图案化候选区；以及以计算机可读取格式输出用于掩模制造的一芯轴图案，芯轴图案具有以第一颜色着色的芯轴图案化候选区。