[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在衬底上的第一层间绝缘膜；

在所述第一层间绝缘膜中的第一下部线和第二下部线，所述第一下部线和所述第二下部线在第一方向上延伸、彼此相邻、并沿着与所述第一方向正交的第二方向间隔开；

沿着所述第二方向在所述第一下部线与所述第二下部线之间的第一气隙和第二气隙，所述第一气隙与所述第一下部线相邻，所述第二气隙与所述第二下部线相邻；

第二层间绝缘膜，其覆盖所述第一气隙和所述第二气隙；以及

衬垫膜，其在所述第一气隙和所述第二气隙的每个的底表面和侧壁上；以及

通路，其至少部分地重叠所述第一下部线，

其中所述第一气隙和所述第一下部线之间的所述衬垫膜、所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜的第一厚度比所述第二气隙和所述第二下部线之间的所述衬垫膜和所述第二层间绝缘膜的第二厚度厚。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一气隙沿着所述第二方向与所述第一下部线间隔开的第一距离不同于所述第二气隙沿着所述第二方向与所述第二下部线间隔开的第二距离。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一距离大于所述第二距离。

4.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述第一下部线上的上部线，所述上部线至少部分地重叠所述第一下部线，以及所述上部线通过所述通路连接到所述第一下部线。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一气隙和所述第二气隙的每个的顶部不高于所述第一下部线的顶表面。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第二气隙具有与所述第二下部线相邻的第一侧壁以及与所述第一侧壁相反的第二侧壁，

所述第二气隙的所述第一侧壁和底表面成第一角度，以及

所述第二气隙的所述第二侧壁和所述底表面成第二角度，所述第一角度不同于所述第二角度。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一角度小于所述第二角度。

8.一种半导体器件，包括：

在衬底上且彼此相邻的第一下部线和第二下部线；

间隔物，其覆盖所述第一下部线和所述第二下部线的相对的侧壁；

第一沟槽，其由所述间隔物限定在所述第一下部线和所述第二下部线的所述相对的侧壁之间；

层间绝缘膜，其覆盖所述第一下部线和所述第二下部线以及所述第一沟槽的底表面和侧壁以部分地填充所述第一沟槽；

第一气隙，其由所述第一沟槽和所述层间绝缘膜限定；

通路，其至少部分地重叠所述第一下部线并穿透所述层间绝缘膜；

第三下部线，其与所述第二下部线相邻；

第二气隙，其在所述第三下部线与所述第二下部线之间；

衬垫膜，其在所述第一气隙和所述第二气隙的每个的底表面和侧壁上，

其中所述间隔物覆盖所述第二下部线的两个侧壁，

其中所述第一气隙和所述第一下部线之间的所述衬垫膜、所述间隔物和所述层间绝缘膜的第一厚度比所述第二气隙和所述第三下部线之间的所述衬垫膜和所述层间绝缘膜的第二厚度厚。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中：

所述第一下部线、所述第二下部线和所述第三下部线之间的间距相等；以及

所述第一气隙的宽度不同于所述第二气隙的宽度。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述第一气隙的所述宽度小于所述第二气隙的所述宽度。

11.如权利要求8所述的半导体器件，其中：

所述第二气隙具有与所述第二下部线相邻的第一侧壁以及与所述第三下部线相邻的第二侧壁，以及

由所述第二气隙的所述第一侧壁和底表面所成的第一角度不同于由所述第二气隙的所述第二侧壁和所述底表面所成的第二角度。