[发明专利]半导体器件

说明书

本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：在衬底上的第一下部线和第二下部线，第一下部线和第二下部线在第一方向上延伸、彼此相邻、并沿着与第一方向正交的第二方向间隔开；气隙，其在第一下部线与第二下部线之间并沿着第二方向与它们隔开；第一绝缘间隔物，其在第一下部线的面对第二下部线的侧壁上，其中沿着第二方向从第一气隙到第一下部线的距离等于或大于半导体器件的设计规则的覆盖规格；以及第二绝缘间隔物，其在气隙与第二下部线之间。

技术领域

本公开涉及半导体器件和制造该半导体器件的方法，更具体地，涉及包括形成在线之间的气隙的半导体器件和制造该半导体器件的方法。

背景技术

在半导体器件的后段制程(BEOL)工艺中，以线之间没有干扰的方式图案化多条线是重要问题之一。随着最近的半导体器件迅速地按比例缩小，线之间的间距变窄。因此，已经提出了用于通过在线之间形成气隙来减小线之间的电容的方法。

发明内容

一个或更多个实施方式可以提供一种半导体器件，该半导体器件包括：在衬底上的第一下部线和第二下部线，第一下部线和第二下部线在第一方向上延伸、彼此相邻、并沿着与第一方向正交的第二方向间隔开；气隙，其在第一下部线与第二下部线之间并沿着第二方向与它们隔开；第一绝缘间隔物，其在第一下部线的面对第二下部线的侧壁上，其中沿着第二方向从气隙到第一下部线的距离等于或大于半导体器件的设计规则的覆盖规格(overlay specification)(其指的是能够通过光刻实现的最小间距)；以及第二绝缘间隔物，其在气隙与第二下部线之间。

一个或更多个实施方式可以提供一种半导体器件，该半导体器件包括：在衬底上的第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中的第一下部线和第二下部线，第一下部线和第二下部线在第一方向上延伸、彼此相邻、并沿着与第一方向正交的第二方向间隔开；在第一下部线与第二下部线之间的第一气隙和第二气隙，其中第一气隙沿着第二方向与第一下部线间隔开第一距离并且第二气隙沿着第二方向与第二下部线间隔开第二距离。

一个或更多个实施方式可以提供一种半导体器件，该半导体器件包括：形成在衬底上且彼此相邻的第一下部线和第二下部线；间隔物，其覆盖第一下部线和第二下部线的相对的侧壁；第一沟槽，其由间隔物限定在第一下部线和第二下部线的所述相对的侧壁之间；层间绝缘膜，其覆盖第一下部线和第二下部线以及第一沟槽的底表面和侧壁以部分地填充第一沟槽；第一气隙，其由第一沟槽和层间绝缘膜限定；以及通路，其至少部分地重叠第一下部线并穿透层间绝缘膜。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施方式，对本领域技术人员而言，特征将变得明显，在图中：

图1示出根据本公开一示例性实施方式的半导体器件的剖面图；

图2示出图1中显示的半导体器件的一部分的放大图；

图3示出根据本公开的另一示例性实施方式的半导体器件的剖面图；

图4示出图2中显示的半导体器件的一部分的放大图；

图5至8示出根据本公开一示例性实施方式的用于制造半导体器件的方法中的阶段的剖面图；以及

图9至13示出根据本公开的另一示例性实施方式的制造半导体器件的方法中的阶段的剖面图。

具体实施方式

图1是根据本公开一示例性实施方式的半导体器件的剖面图。图2是图1中显示的半导体器件的一部分的放大图。

参照图1，根据本公开一示例性实施方式的半导体器件1包括全部在第一方向d1上堆叠的衬底10、形成在衬底10上的第一层间绝缘膜100、100a和100b、形成在第一层间绝缘膜100中的第一至第三下部线101、103和105、第一至第三气隙132、134和136、形成在第一层间绝缘膜100上的第二层间绝缘膜200、通路204以及上部线201。