[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成多个栅极结构、覆盖栅极结构部分侧壁的第一层间介质层、以及位于第一层间介质层上且覆盖栅极结构部分侧壁的第二层间介质层，第二层间介质层的密度大于第一层间介质层的密度；

至少去除第二层间介质层；

至少去除第二层间介质层后，在栅极结构两侧的基底上形成第三层间介质层，所述第三层间介质层的密度小于第二层间介质层的密度；

形成至少贯穿第三层间介质层的接触孔，且所述接触孔位于相邻栅极结构之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，仅去除第二层间介质层；去除第二层间介质层后，在第一层间介质层的表面形成第三层间介质层；形成贯穿第三层间介质层和第一层间介质层的所述接触孔。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除第二层间介质层和第一层间介质层；去除第二层间介质层和第一层间介质层后，形成所述第三层间介质层；形成仅贯穿第三层间介质层的所述接触孔。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述栅极结构、第一层间介质层和第二层间介质层的方法包括：在所述基底上形成多个伪栅极结构；在所述基底上形成覆盖伪栅极结构部分侧壁的第一层间介质层；在所述第一层间介质层上形成覆盖伪栅极结构部分侧壁的第二层间介质层，且所述第二层间介质层暴露出伪栅极结构的顶部表面；形成第二层间介质层后，去除伪栅极结构，形成贯穿第一层间介质层和第二层间介质层的开口；在所述开口中形成栅极结构。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成第一层间介质层之前，在所述伪栅极结构侧壁形成侧墙；所述第一层间介质层覆盖侧墙部分侧壁；第二层间介质层覆盖侧墙部分侧壁；所述栅极结构的顶部表面低于所述侧墙的顶部表面；在所述开口中形成位于栅极结构顶部表面的保护层；形成所述第三层间介质层后，所述第三层间介质层还覆盖侧墙的侧壁、以及侧墙和保护层的顶部表面。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述接触孔暴露出侧墙和保护层的侧壁、保护层的部分顶部表面以及基底。

7.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氮化硅、碳化硅或氮化硼；所述侧墙的材料为氮化硅、碳化硅或氮化硼。

8.根据权利要求4或5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述多个栅极结构沿着垂直于栅极结构延伸方向排列；在所述栅极结构排列方向上，所述接触孔的尺寸小于相邻栅极结构之间的尺寸。

9.根据权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一层间介质层的方法包括：在所述基底上形成覆盖伪栅极结构的第一层间介质膜；去除伪栅极结构两侧的部分第一层间介质膜、以及伪栅极结构上的第一层间介质膜，使第一层间介质膜形成所述第一层间介质层；

形成所述第二层间介质层的方法包括：在所述第一层间介质层和伪栅极结构上形成第二层间介质膜；平坦化所述第二层间介质膜直至暴露出伪栅极结构的顶部表面，使第二层间介质膜形成第二层间介质层。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一层间介质层的材料包括氧化硅；所述第二层间介质层的材料包括氧化硅。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一层间介质膜的工艺包括流体化学气相沉积工艺；形成所述第二层间介质膜的工艺为高密度等离子体化学气相沉积工艺。