[发明专利]具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃

说明书

技术领域

本发明涉及透明导电玻璃领域，具体为一种具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃。

背景技术

但随着电子技术的高速发展，电子设备的密集程度越来越大，电磁干扰情况也越来越突出。为确保电子设置在工作时不会受到外界电磁场的干扰，同时不对该环境中其他设备造成不允许的电磁干扰，电磁屏蔽膜及其设计也变得尤为重要。

半反半透显示在车载后视镜、智能家居等方面的应用越来越广泛。当前的半反半透显示主要是通过在显示屏外设置具有半反半透光学特性的玻璃来实现。半反半透的光学特性主要利用光的干涉原理，通过设置多层特定厚度的高、低折射率的膜系来实现。而对于电磁屏蔽的处理，往往通过设置单独的导电膜层来实现，例如直接在显示模组上沉积透明导电层ITO等。这种产品结构复杂，一方面增加新的工序和成本，另一方面导电材料往往不能得到有效保护，导致屏蔽效果衰减严重。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃，将透明导电材料置于内层，能够减少了生产工序，降低了生产成本，提高电磁屏蔽的可靠性。

为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃，包括玻璃基板，玻璃基板上由内至外设有多层介质膜，介质膜采用高折射率层和低折射率层进行交叉设置；其中最内层和最外层介质膜为高折射率层；除最外层介质膜的其它高折射率层中，其中某一层高折射率层采用高折射率透明导电材料制成，具体材质为氧化铟锡、氧化锌铝或掺氟氧化锡，折射率为1.8～2.5。

所述最外层介质膜的高折射率层和其它非高折射率透明导电材料制成高折射率层的材质为TiO₂、Nb₂O₅、Si₃N₄、Ta₂O₅或ZrO₂，折射率为1.8～2.5，折射率为1.8～2.5。

所述低折射率层的材质为SiO₂、MgF₂、SiON；折射率为1.35～1.65。

所述玻璃基板上由内至外设有高折射率层、低折射率层和高折射率层；位于玻璃基板与低折射率层之间的高折射率层采用高折射率透明导电材料制成。

进一步地，所述采用高折射率透明导电材料制成的高折射率层的厚度为50-80nm，另外的高折射率层的厚度为40-70nm，低折射率层的厚度为50-80nm。

对于3层具有电磁屏蔽功能的半反半透结构表示为：基板/H1/L/H，其中H代表高折射率材料，TiO₂、Nb₂O₅、Si₃N₄、Ta₂O₅或ZrO₂，折射率为1.8～2.5，对应膜厚范围40-70nm；L代表低折射率材料，所述低折射率层的材质为SiO₂、MgF₂、SiON；折射率为1.35～1.65，对应膜厚为50-80nm；H1为高折射率的透明导电氧化物，具体材质为氧化铟锡、氧化锌铝或掺氟氧化锡，折射率为1.8～2.5，膜厚为50-80nm，方块电阻为40-25欧。

所述玻璃基板上由内至外设有高折射率层、低折射率层、高折射率层、低折射率层和高折射率层；除最外层高折射率层以外的其它高折射率层中，某一高折射率层采用高折射率透明导电材料制成。

进一步地，所述采用高折射率透明导电材料制成的高折射率层的厚度为20-120nm，其他的高折射率层中，靠近基板的高折射率层的厚度为25-45nm，远离基板的高折射率层的厚度为50-70nm，贴近基板的低折射率层的厚度为0-20nm，远离基板的低折射率层的厚度为80-120nm。