[发明专利]具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃

权利要求书

1.一种具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃，其特征在于：包括玻璃基板，玻璃基板上由内至外设有多层介质膜，介质膜采用高折射率层和低折射率层进行交叉设置；其中最内层和最外层介质膜为高折射率层；除最外层介质膜的其它高折射率层中，其中某一层高折射率层采用高折射率透明导电材料制成，具体材质为氧化铟锡、氧化锌铝或掺氟氧化锡，折射率为1.8~2.5。

2.根据权利要求1所述的玻璃，其特征在于：所述最外层介质膜的高折射率层和其它非高折射率透明导电材料制成高折射率层的材质为TiO₂、Nb₂O₅、Si₃N₄、Ta₂O₅或ZrO₂，折射率为1.8~2.5。

3.根据权利要求1所述的玻璃，其特征在于：所述低折射率层的材质为SiO₂、MgF₂、SiON；折射率为1.35~1.65。

4.根据权利要求1所述的玻璃，其特征在于：所述玻璃基板上由内至外设有高折射率层、低折射率层和高折射率层；位于玻璃基板与低折射率层之间的高折射率层采用高折射率透明导电材料制成。

5.根据权利要求4所述的玻璃，其特征在于：所述采用高折射率透明导电材料制成的高折射率层的厚度为50-80nm，另外的高折射率层的厚度为40-70nm，低折射率层的厚度为50-80nm。

6.根据权利要求1所述的玻璃，其特征在于：所述玻璃基板上由内至外设有高折射率层、低折射率层、高折射率层、低折射率层和高折射率层；除最外层高折射率层以外的其它高折射率层中，某一高折射率层采用高折射率透明导电材料制成。

7.根据权利要求6所述的玻璃，其特征在于：所述采用高折射率透明导电材料制成的高折射率层的厚度为20-120nm，其他的高折射率层中，靠近基板的高折射率层的厚度为25-45nm，远离基板的高折射率层的厚度为50-70nm，贴近基板的低折射率层的厚度为0-20nm，远离基板的低折射率层的厚度为80-120nm。