[发明专利]磁阻传感器元件之间的电屏蔽有效

专利信息
申请号: 201710173360.5 申请日: 2017-03-22
公开(公告)号: CN107219475B 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: D.哈默施密特 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 申屠伟进;杜荔南
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁阻 传感器 元件 之间 屏蔽
【权利要求书】:

1.一种集成电路,包括形成在公共衬底上的铁磁层和非磁性层的磁阻叠层,所述集成电路包括:

通过磁阻叠层的第一区段提供的至少一个第一磁阻传感器元件;

通过磁阻叠层的与所述第一区段分离的第二区段提供的至少一个第二磁阻传感器元件;以及

通过磁阻叠层的在第一和第二区段之间并且与第一和第二区段分离的第三区段提供的至少一个屏蔽元件,其中屏蔽元件可操作为所述至少一个第一磁阻传感器元件和所述至少一个第二磁阻传感器元件之间的电屏蔽。

2.按照权利要求1所述的集成电路,其中磁阻叠层的第一区段通过绝缘材料从磁阻叠层的第三区段分离,并且其中磁阻叠层的第三区段通过绝缘材料从磁阻叠层的第二区段分离。

3.按照权利要求1所述的集成电路,其中所述至少一个第一磁阻传感器元件和所述至少一个第二磁阻传感器元件配置成彼此独立地感测相同的磁场。

4.按照权利要求1所述的集成电路,还包括到第一磁阻传感器元件、第二磁阻传感器元件或屏蔽元件中的至少一个的一个或多个电连接器,其中所述一个或多个电连接器被配置为从集成电路到外部电路的接口。

5.按照权利要求1所述的集成电路,还包括由第一和第二磁阻传感器元件共享的至少一个公共接触垫。

6.按照权利要求4所述的集成电路,还包括:

开关电路,被配置成

在所述至少一个第一磁阻传感器元件和所述至少一个第二磁阻传感器元件的操作期间将屏蔽元件的电连接器耦合到参考电位,并且

在集成电路的筛选模式期间将屏蔽元件的电连接器耦合到筛选电位。

7.按照权利要求6所述的集成电路,其中开关电路配置成在筛选模式期间将所述至少一个第一磁阻传感器元件和所述至少一个第二磁阻传感器元件的相应电连接器耦合到参考电位。

8.按照权利要求6所述的集成电路,其中开关电路配置成在所述至少一个第一磁阻传感器元件和所述至少一个第二磁阻传感器元件的操作期间将所述至少一个第一磁阻传感器元件和所述至少一个第二磁阻传感器元件耦合到相应的供给电位,其中所述至少一个第一磁阻传感器元件和所述至少一个第二磁阻传感器元件配置成分别在所述至少一个第一磁阻传感器元件和所述至少一个第二磁阻传感器元件的操作期间感测磁场。

9.按照权利要求6所述的集成电路,其中所述筛选电位大于用于操作第一和/或第二磁阻传感器元件的供给电位,但是低于与屏蔽元件和/或所述至少一个第一磁阻传感器元件和/或所述至少一个第二磁阻传感器元件相关联的一个或多个静电放电电路的击穿电压。

10.按照权利要求1所述的集成电路,其中屏蔽元件通过至少一个金属层和屏蔽元件之间的多个过孔而耦合到集成电路的所述至少一个金属层,所述多个过孔形成所述至少一个第一磁阻传感器元件和所述至少一个第二磁阻传感器元件之间的过孔网格。

11.按照权利要求1所述的集成电路,还包括:

泄漏检测电路,耦合到屏蔽元件并且配置成检测屏蔽元件与第一和第二磁阻传感器元件中的至少一个之间的泄漏电流。

12.按照权利要求1所述的集成电路,其中屏蔽元件耦合在第一电接触件与第二电接触件之间,并且配置成在测试模式期间基于评估响应于施加在第一和第二电接触件之间的裂缝检测电压或裂缝检测电流而穿过屏蔽元件的电流或跨屏蔽元件的电压降来检测磁阻叠层中的裂缝。

13.按照权利要求1所述的集成电路,其中磁阻叠层的第三区段的部分被配置为分路电阻器。

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