[发明专利]经由偏置的多端口喷射装置的径向和厚度控制

说明书

本发明涉及经由偏置的多端口喷射装置的径向和厚度控制。本发明公开了气体分布系统，以便在交叉流动反应器中的衬底上获得更好的膜均匀性。可以通过对气体分布系统的单独喷射端口的不对称偏置实现更好的膜均匀性。气体分布可以允许膜性质的变化的可调性。

技术领域

本发明涉及用于处理半导体衬底的反应系统。特定地，本发明涉及偏置气体分布设备，其导致反应系统中的衬底的改进的膜均匀性。

背景技术

在交叉流动反应系统中，当气体流过衬底的表面时可以发生膜的沉积。与衬底的边缘相比，在衬底的中心，这些沉积过程可以导致更大的膜沉积。另外，与衬底的边缘相比，在衬底的中心，膜的化学组成可以不同。

可以证明沉积膜的厚度和化学组成的不一致分布在半导体衬底的处理中是有问题的。由于不均匀的膜厚度和组成，该层可在晶片器件内具有问题，导致在同一衬底上的器件性能(例如迁移率等)的不一致性。

因此，存在需要以改进膜均匀性的方式分布气体的系统。

发明内容

公开了用于执行前体气体喷射的不对称偏置的方法。该方法包括：提供反应室，反应室保持待处理的衬底；提供第一多端口喷射器组件，第一多端口喷射器组件包括用于将第一气体从第一气体源提供到衬底的第一多个单独端口喷射器；提供第二多端口喷射器组件，第二多端口喷射器组件包括用于将第二气体从第二气体源提供到衬底的第二多个单独端口喷射器；利用第一多端口喷射器组件使第一气体流动到衬底上，其中第一多端口喷射器组件具有不对称偏置的第一多个单独端口喷射器；以及利用第二多端口喷射器组件使第二气体流动到衬底上，其中第二多端口喷射器组件具有不对称偏置的第二多个单独端口喷射器；其中实现了第一气体和第二气体在衬底各处的基本上均匀的分布；并且其中在衬底上第一气体和第二气体之间发生反应以形成第一膜。

为了总结本发明以及相对于现有技术实现的优点，在本文以上中已经描述了本发明的某些目的和优点。当然，应当理解，根据本发明的任何具体实施例，不必要所有这样的目的或优点都可以实现。因此，例如，本领域技术人员将认识到，可以以实现或最优化如本文教导或建议的一个优点或一组优点的方式来体现或实行本发明，而不必实现如本文可以教导或建议的其他目的或优点。

所有这些实施例旨在处于本文所公开的本发明的保护范围内。从以下参考附图的某些实施例的详细描述中，这些和其他实施例对于本领域技术人员来说将变得显而易见，本发明不限于所公开的任何具体实施例。

附图说明

下面参照某些实施例的附图描述本文所公开的本发明的这些和其他特征、方面和优点，其旨在说明而不是限制本发明。

专利或申请文件包含至少一张彩色附图。具有彩色附图的该专利或专利申请公开的副本将由专利局根据请求并支付必要的费用提供。

图1示出根据本发明的至少一个实施例的气体喷射系统。

图2示出根据本发明的至少一个实施例的厚度的图示。

图3示出根据本发明的至少一个实施例的组成的图示。

应当理解，图中的元件是为了简单和清楚而示出的，并且不一定按比例绘制。例如，图中的一些元件的尺寸可以相对于其他元件放大，以帮助提高对本公开的所示实施例的理解。

具体实施方式

虽然下面公开了某些实施例和示例，但是本领域技术人员将理解，本发明延伸超出本发明的特定地公开的实施例和/或用途以及其明显的修改和等同物。因此，其旨在所公开的本发明的保护范围不应受到下面描述的具体公开的实施例的限制。