[发明专利]经由偏置的多端口喷射装置的径向和厚度控制

权利要求书

1.一种在衬底上形成均匀膜的方法，所述方法包括：

提供反应室，所述反应室保持待处理的衬底；

提供第一多端口喷射器组件，所述第一多端口喷射器组件包括用于将第一气体从第一气体源提供到所述衬底的第一多个单独端口喷射器；

提供第二多端口喷射器组件，所述第二多端口喷射器组件包括用于将第二气体从第二气体源提供到所述衬底的第二多个单独端口喷射器；

利用所述第一多端口喷射器组件使所述第一气体流动到所述衬底上，其中所述第一多端口喷射器组件具有不对称偏置的所述第一多个单独端口喷射器，使得通过所述第一多个单独端口喷射器的第一气体流是不对称的，因为所述第一多个单独端口喷射器的不对称偏置允许通过所述第一多个单独端口喷射器中的各端口喷射器的第一气体具有不同流速；以及

利用所述第二多端口喷射器组件使所述第二气体流动到所述衬底上，其中所述第二多端口喷射器组件具有不对称偏置的所述第二多个单独端口喷射器，使得通过所述第二多个单独端口喷射器的第二气体流是不对称的，因为所述第二多个单独端口喷射器的不对称偏置允许通过所述第二多个单独端口喷射器中的各端口喷射器的第二气体具有不同流速；

其中实现所述第一气体和所述第二气体在所述衬底各处的基本上均匀的分布；以及

其中在所述衬底上所述第一气体和所述第二气体之间发生反应以形成第一膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一气体包括以下中的至少一种：二氯甲硅烷(DCS)；硅烷(SiH₄)；乙硅烷(Si₂H₆)；丙硅烷(Si₃H₈)；三氯甲硅烷(TCS)；盐酸(HCl)；氢气(H₂)；或氮气(N₂)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二气体包括以下中的至少一种：磷化氢(PH₃)；锗烷(GeH₄)；乙锗烷(Ge₂H₆)；乙硼烷(B₂H₆)；CH₄；单甲基硅烷(MMS)；氯化锡(SnCl₄)；氢化锡；盐酸(HCl)；氢气(H₂)；或氮气(N₂)。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述反应室的压力在1托和760托之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述反应室的压力在500托和760托之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述反应室的温度在100℃和800℃之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述反应室的温度在150℃和500℃之间。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一多个单独端口喷射器的不对称偏置包括：第一数量的单独端口喷射器流过所述第一气体，第二数量的单独端口喷射器不流过所述第一气体。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二多个单独端口喷射器的不对称偏置包括：第三数量的单独端口喷射器流过所述第二气体，第四数量的单独端口喷射器不流过所述第二气体。