[发明专利]母模及其制造方法

说明书

本公开提供了一种母模的制造方法，包括：提供基底；在所述基底上形成母模衬底层；在所述母模衬底层上形成适用于X射线曝光的掩膜层；和从所述掩膜层远离所述基底一侧对所述母模衬底层进行X射线曝光，其中，在所述X射线曝光过程中，X射线的照射方向与所述母模衬底层成预定倾斜角度。本公开还提供了一种母模。

技术领域

本公开涉及微结构器件的制造技术领域，特别地，涉及一种适于制造微结构器件的母模和该母模的制造方法。

背景技术

目前，可以采用LIGA工艺、集合光刻技术(Lithography)、电镀铸模技术(electroforming)和微成型模制(molding)量产技术等制造技术来制造各种微结构器件，例如，显示装置的背光单元中的棱镜片(Lens)、偏光片等。

最近，适于微结构器件制造的纳米压印技术日益受到技术人员的关注。在纳米压印技术中，压印图形的形状和精度完全取决于母模的形状和精度。但是，采用传统的制造工艺制造出的母模一般只能实现垂直结构的图形。虽然目前可以利用光衍射的原理来实现具有一定倾角的结构，但是，利用光衍射的制造工艺只能制造出小深宽比或小深度的结构，而且不能精确地控制形成的结构的倾角。

发明内容

为了解决上述技术问题中的至少一个，本公开提供一种母模的制造方法和一种母模。

根据本公开的一个方面，提供一种母模的制造方法，包括以下步骤：

提供基底；

在所述基底上形成母模衬底层；

在所述母模衬底层上形成适用于X射线曝光的掩膜层；和

从所述掩膜层远离所述基底一侧对所述母模衬底层进行X射线曝光，

其中，在所述X射线曝光过程中，X射线的照射方向与所述母模衬底层成预定倾斜角度。

根据一些实施例，从所述掩膜层远离所述基底一侧对所述母模衬底层进行X射线曝光的步骤包括：

沿与所述母模衬底层成第一预定倾斜角度的方向对所述母模衬底层照射X射线，以进行第一次曝光；和

沿与所述母模衬底层成第二预定倾斜角度的方向对所述母模衬底层照射X射线，以进行第二次曝光，

其中，所述第一预定倾斜角度不等于所述第二预定倾斜角度。

根据一些实施例，所述掩膜层包括多个透光区域和多个遮光区域，该遮光区域能够阻挡X射线从其透过，并且，从所述掩膜层远离所述基底一侧对所述母模衬底层进行X射线曝光的步骤还包括：

调整所述第一预定倾斜角度和所述第二预定倾斜角度，使得：对于所述掩膜层的同一透光区域，经过所述第一次曝光和所述第二次曝光的所述母模衬底层的曝光区域之间形成有未曝光区域。

根据一些实施例，所述未曝光区域沿平行于基底方向的尺寸小于所述掩膜层的一个透光区域沿平行于基底方向的尺寸。

根据一些实施例，所述第一预定倾斜角度为小于90°的锐角，并且所述第二预定倾斜角度为90°～180°的钝角。

根据一些实施例，所述第一预定倾斜角度和所述第二预定倾斜角度之和等于180°。

根据一些实施例，在所述母模衬底层上形成适用于X射线曝光的掩膜层的步骤包括：

在所述母模衬底层上形成抗X射线材料层；和

通过一次构图工艺形成抗X射线材料层的图案，以形成包括多个透光区域和多个遮光区域的掩膜层。

根据一些实施例，通过一次构图工艺形成抗X射线材料层的图案的步骤包括：

在所述抗X射线材料层上涂覆光刻胶；