[发明专利]一种湿法刻蚀设备和湿法刻蚀的方法有效
申请号: | 201710170551.6 | 申请日: | 2017-03-21 |
公开(公告)号: | CN106898569B | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 赵德江 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/3213 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张京波;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 设备 方法 | ||
本发明公开了一种湿法刻蚀设备和湿法刻蚀的方法,其中,该湿法刻蚀设备包括:刻蚀腔,所述刻蚀腔内设置有可移动旋转的工作台和设置在工作台上方的喷头装置;所述工作台用于承载待刻蚀基板,所述待刻蚀基板包括覆盖基板上的薄膜层;所述喷头装置用于将刻蚀液逐个喷淋至待形成图案的每个像素对应的薄膜层上。本发明通过利用喷头装置将刻蚀液喷淋至待形成图案的每个像素对应的薄膜层上,实现每个像素单独进行刻蚀,不仅减少了刻蚀液的使用量,提高了刻蚀效率,而且能够方便的实现多层薄膜的刻蚀。
技术领域
本发明涉及显示器件制备领域,尤指一种湿法刻蚀设备和湿法刻蚀的方法。
背景技术
湿法刻蚀是用适当的刻蚀液与刻蚀物进行化学反应,改变刻蚀物的结构,使无光刻胶覆盖的薄膜部分脱离基片表面,而把有光刻胶覆盖的区域保存下来,这样便在基板表面得到了所需要的图形。现有湿法刻蚀设备是在湿法刻蚀槽内利用酸性液体对基板进行刻蚀。
采用现有的湿法刻蚀设备进行薄膜刻蚀过程中,由于刻蚀液通过喷淋至整个基板上或者浸泡基板的方式刻蚀基板,不仅造成整个过程中需要的刻蚀液量比较大,而且由于湿法刻蚀槽中的刻蚀液是反复使用的,刻蚀效能会不断的下降,从而导致刻蚀使用时间长,刻蚀效率较低。
另外,随着技术的不断进步,需要刻蚀的薄膜已经不再仅仅是单层薄膜,往往是多层的,不同薄膜的刻蚀选择比会有差异,现有的湿法刻蚀设备进行多层刻蚀时需要刻蚀完一层再刻蚀下一层,导致现有的湿法刻蚀设备不便进行多层刻蚀。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种湿法刻蚀设备和湿法刻蚀的方法,不仅能够减少刻蚀液的使用量,提高刻蚀的效率,而且能够方便地进行多层刻蚀。
为了达到本发明目的,本发明提供了一种湿法刻蚀设备,包括:刻蚀腔,所述刻蚀腔内设置有可移动旋转的工作台和设置在工作台上方的喷头装置;所述工作台用于承载待刻蚀基板,所述待刻蚀基板包括覆盖基板上的薄膜层;所述喷头装置用于将刻蚀液逐个喷淋至待形成图案的每个像素对应的薄膜层上。
进一步地,所述湿法刻蚀设备,还包括:调整装置;
所述调整装置用于调整工作台,使得待刻蚀基板到达预设摆放位置。
进一步地,喷头装置包括多个喷头。
进一步地,所述喷头包括:喷头主体、设置在喷头主体两侧的进液口和出液口、设置在所述喷头主体的上方的进气孔和负压孔以及多个可调节孔径的喷孔。
进一步地,所述喷孔之间的间距固定。
进一步地,所述喷头与待刻蚀基板之间的距离为0.5mm-5mm。
进一步地,所述湿法刻蚀设备还包括水洗装置;
所述水洗装置,用于在待刻蚀基板进入刻蚀腔之前,去除附着在待刻蚀基板表面的有机物。
进一步地,所述湿法刻蚀设备还包括加热装置,用于提高喷淋至待刻蚀基板上的刻蚀液的温度。
本发明还提供一种湿法刻蚀的方法,采用上述的湿法刻蚀设备,包括以下步骤:
将待刻蚀基板放置在工作台上;
将刻蚀液逐个喷淋至待形成图案的每个像素对应的薄膜层上。
进一步地,所述将待刻蚀基板放置在工作台上之后,还包括:
调整工作台,使得待刻蚀基板到达预设摆放位置。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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