[发明专利]一种湿法刻蚀设备和湿法刻蚀的方法有效
| 申请号： | 201710170551.6 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN106898569B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 赵德江 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张京波;曲鹏 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 设备 方法 | ||
1.一种湿法刻蚀设备，其特征在于，包括：刻蚀腔，所述刻蚀腔内设置有可移动旋转的工作台和设置在工作台上方的喷头装置；所述工作台用于承载待刻蚀基板，所述待刻蚀基板包括覆盖基板上的薄膜层；所述喷头装置用于将刻蚀液逐个喷淋至待形成图案的每个像素对应的薄膜层上；
喷头装置包括多个喷头，所述喷头包括：喷头主体、设置在喷头主体两侧的进液口和出液口、设置在所述喷头主体的上方的进气孔和负压孔以及多个可调节孔径的喷孔。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，还包括：调整装置；
所述调整装置用于调整工作台，使得待刻蚀基板到达预设摆放位置。
3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述喷孔之间的间距固定。
4.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述喷头与待刻蚀基板之间的距离为0.5mm-5mm。
5.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，还包括水洗装置；
所述水洗装置，用于在待刻蚀基板进入刻蚀腔之前，去除附着在待刻蚀基板表面的有机物。
6.根据权利要求1或5所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，还包括加热装置，用于提高喷淋至待刻蚀基板上的刻蚀液的温度。
7.一种湿法刻蚀的方法，其特征在于，采用如权利要求1-6所述的湿法刻蚀设备，包括以下步骤：
将待刻蚀基板放置在工作台上；
将刻蚀液逐个喷淋至待形成图案的每个像素对应的薄膜层上。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述将待刻蚀基板放置在工作台上之后，还包括：
调整工作台，使得待刻蚀基板到达预设摆放位置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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