[发明专利]电介质薄膜和电子部件

说明书

本发明的目的在于提供一种维持低介电损耗、即高的Q值而对应于急剧的温度变化具有高的耐热冲击性的以MgO为主成分的电介质薄膜以及具备该电介质薄膜的电子部件。所述电介质薄膜其特征在于，所述电介质薄膜以MgO为主成分，所述电介质薄膜由含有分别至少1个以上的由单晶构成的柱状结构A和由多晶构成的柱状结构B的柱状结构群构成，在将所述电介质薄膜的垂直方向的截面中所述柱状结构A所占的面积记为C_A，并且将所述柱状结构B所占的面积记为C_B的情况下，所述C_A与C_B的关系为0.4≤C_B/C_A≤1.1。

技术领域

本发明涉及一种介电损耗小，并且耐热冲击性优异的电介质薄膜以及具备该电介质薄膜的电子部件。

背景技术

为了应对以智能手机和平板电脑为代表的移动通信设备的进一步高速大容量通信化而开始进行同时使用多个频带的MIMO技术(多输入多输出，Multi-Input Multi-Output)的实用化。如果通信中使用的频带增大，则每个频带需要各自的高频部件，为了维持设备尺寸地增加部件数量，寻求各部件的进一步小型化、高功能化。

作为这样的对应高频的电子部件，例如有双工器或带通滤波器等。这些均由担负电容的电介质和担负电感的磁性体的组合构成，但为了得到良好的高频特性，寻求抑制分别在高频区域的损耗。

如果着眼于电介质，则为了使频率的选择性良好而期望介电损耗小、即Q值高。对于介电损耗低的材料公开有许多技术，其中，已知含有MgO的材料即使在高频带(2GHz)介电损耗也低，即Q值高，是作为在高频带使用的电介质材料的期待较大的材料之一。

在专利文献1中公开了涉及电介质薄膜的平均膜厚为0.1μm～10μm，并且具有通式xTiO₂·yBaO·zMgO的组成的电介质薄膜的技术。通过控制所述x、y、z，可以实现良好的温度特性和高的Q值。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-47213号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

如所述专利文献1所记载，含有MgO作为主成分的电介质薄膜具有有良好的温度特性以及高的Q值的优异的特征，但是在急剧的温度变化，例如从-55℃急剧地使温度上升至125℃的情况或相反急剧地降温的情况下，有容易在电介质薄膜上产生裂纹等结构缺陷的技术问题，确保高的耐热冲击性成为当务之急。在所述专利文献1中公开的技术中，没有公开抑制成为技术问题的裂纹等结构缺陷的技术。

本发明是鉴于以上这样的情况而想出的，其目的在于提供一种维持低介电损耗、即高的Q值而对应于急剧的温度变化具有高的耐热冲击性的以MgO为主成分的电介质薄膜以及具备该电介质薄膜的电子部件。

用于解决技术问题的手段

为了解决上述技术问题、达成目的，本发明的电介质薄膜，其特征在于，

所述电介质薄膜以MgO为主成分，

所述电介质薄膜由含有分别至少1个以上的由单晶构成的柱状结构A和由多晶构成的柱状结构B的柱状结构群构成，

在将所述电介质薄膜的垂直方向的截面中所述柱状结构A所占的面积记为C_A，并且将所述柱状结构B所占的面积记为C_B的情况下，所述C_A与C_B的关系为0.4≤C_B/C_A≤1.1。