[发明专利]有机发光二极管显示装置在审

专利信息
申请号: 201710168403.0 申请日: 2017-03-21
公开(公告)号: CN108630724A 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: 刘振宇;龚立伟;林熙乾;卢宏傑 申请(专利权)人: 宸鸿光电科技股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾台北市内湖*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 第一电极 薄膜晶体管阵列 有机发光二极管显示装置 穿透率 第二电极 有机层 发光组件 光吸收层 基板 明暗对比 外部光线 影响画面 上表面 反射
【说明书】:

本揭露文件是揭露一种有机发光二极管显示装置。有机发光二极管显示装置包含基板、薄膜晶体管阵列、发光组件及光吸收层。薄膜晶体管阵列设置于基板的上表面。发光组件设置于薄膜晶体管阵列上,并包含第一电极层、有机层及第二电极层。第一电极层设置于靠近薄膜晶体管阵列的一侧。有机层设置于第一电极层上。第二电极层相对第一电极层而设置于有机层上。其中第一电极层及第二电极层具有第一穿透率。光吸收层设置于第一电极层及薄膜晶体管阵列之间,且具有第二穿透率。其中,第一穿透率大于第二穿透率。透过本发明的揭露,可避免外部光线反射而影响画面品质,提升有机发光二极管显示装置的明暗对比。

技术领域

本发明是关系一种有机发光二极管显示装置,且特别是关于一种具有光吸收层的有机发光二极管显示装置。

背景技术

有机发光二极管显示器被视为下一世代的主流技术。在传统的有机发光二极管显示器中,为了提高出光效率,采用高反射率的材料作为有机发光二极管的驱动电极,使得向下方发射的光线能够被下方的驱动电极反射向上,从而得到较高的出光效率。此外,也有人提出微型光学共振腔的有机发光二极管显示器,在此种技术中,除了有机发光二极管的下驱动电极必须使用高反射率的材料之外,上驱动电极也必须具备一定的反射率,此种类型的显示器能够提供较佳的色彩饱和度、较高的正视角亮度,但是也有一些缺点。例如,虽然在正视方向上提高了显示器的亮度及色彩饱和度,但是却造成大视角的影像的色彩失真,而且亮度随视角增加而大幅的下降。

在上述的技术中,虽然得到高的出光效率,但是也造成一些问题。例如,高反射率的电极会反射从外界入射的光线,因此当使用者处在高亮度的环境光源下(例如,室外的太阳光),从外界经由面板反射的光线将严重影响到原本显示器的显示画面,导致使用者无法清楚看见原本显示器的显示画面。此外,在微型光学共振腔的技术中,此种技术虽然能够提供较佳的色彩饱和度以及较高的正视角亮度,但是因为必须使用高光学反射的电极,所以也面临同样的问题。

为了解决上述的问题,在已知技术中,在有机发光二极管显示器的显示面上方外加一组抗反射的光学膜组,以降低有机发光二极管面板对外界光线的反射现象。这种抗反射的光学膜组的结构是由偏光片(polarizer)与1/4波板(1/4λwave plate)所构成。此种结构的抗反射光学膜组虽然解决外界光的反射问题,但是却同时导致有机发光二极管显示器的亮度损失达50%-60%(因一片偏光片的穿透率仅约40-50%)。而且所额外添加的光学膜片组为一外贴的结构,造成整体装置的厚度及重量的增加。因此,有必要提出一种新的有机发光二极管显示面板,以改善此一存在的技术问题。

此外,在已知技术中OLED发光元件的高反射电极,该高反射电极本身为高活性电极,容易受外界湿气以及氧气影响氧化,进而影响到OLED元件的寿命。因此OLED需要严密的封装制程,来避免外界的水气以及氧气进入OLED元件内部。目前最常使用的是以玻璃基板作为OLED元件的上下基板,且利用该玻璃基板达到较低的阻水、氧穿透率,确保OLED元件的寿命以及品质。但如果考虑到整体的重量、厚度,甚至是未来可挠式的应用,就不可避免的上、下基板都需要使用到塑胶基板。但是使用到塑胶机板,将会降低阻水、氧穿透的能力,进而降低OLED元件的寿命以及品质。

发明内容

有鉴于此,本案采用高穿透率的材料来制作有机发光二极管显示装置中的电极,并且将具有光吸收作用的叠层设计于发光组件下方,借以有效提升显示装置的明暗对比,并且减少发光效率的损失。此外,更可提高有机发光二极管显示装置的信赖性,并且更适合用于可挠式的应用。

本案的一态样为提供一种有机发光二极管显示装置。有机发光二极管显示装置包含基板、薄膜晶体管阵列、发光组件及光吸收层。薄膜晶体管阵列设置于基板的上表面。发光组件设置于薄膜晶体管阵列上,并包含第一电极层、有机层及第二电极层。第一电极层设置于靠近薄膜晶体管阵列的一侧。有机层设置于第一电极层上。第二电极层相对第一电极层而设置于有机层上。其中第一电极层及第二电极层具有第一穿透率。光吸收层设置于第一电极层及薄膜晶体管阵列之间,且具有第二穿透率。其中,第一穿透率大于第二穿透率。

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