[发明专利]有机发光二极管显示装置在审
| 申请号: | 201710168403.0 | 申请日: | 2017-03-21 |
| 公开(公告)号: | CN108630724A | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
| 发明(设计)人: | 刘振宇;龚立伟;林熙乾;卢宏傑 | 申请(专利权)人: | 宸鸿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾台北市内湖*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 第一电极 薄膜晶体管阵列 有机发光二极管显示装置 穿透率 第二电极 有机层 发光组件 光吸收层 基板 明暗对比 外部光线 影响画面 上表面 反射 | ||
本揭露文件是揭露一种有机发光二极管显示装置。有机发光二极管显示装置包含基板、薄膜晶体管阵列、发光组件及光吸收层。薄膜晶体管阵列设置于基板的上表面。发光组件设置于薄膜晶体管阵列上,并包含第一电极层、有机层及第二电极层。第一电极层设置于靠近薄膜晶体管阵列的一侧。有机层设置于第一电极层上。第二电极层相对第一电极层而设置于有机层上。其中第一电极层及第二电极层具有第一穿透率。光吸收层设置于第一电极层及薄膜晶体管阵列之间,且具有第二穿透率。其中,第一穿透率大于第二穿透率。透过本发明的揭露,可避免外部光线反射而影响画面品质,提升有机发光二极管显示装置的明暗对比。
技术领域
本发明是关系一种有机发光二极管显示装置,且特别是关于一种具有光吸收层的有机发光二极管显示装置。
背景技术
有机发光二极管显示器被视为下一世代的主流技术。在传统的有机发光二极管显示器中,为了提高出光效率,采用高反射率的材料作为有机发光二极管的驱动电极,使得向下方发射的光线能够被下方的驱动电极反射向上,从而得到较高的出光效率。此外,也有人提出微型光学共振腔的有机发光二极管显示器,在此种技术中,除了有机发光二极管的下驱动电极必须使用高反射率的材料之外,上驱动电极也必须具备一定的反射率,此种类型的显示器能够提供较佳的色彩饱和度、较高的正视角亮度,但是也有一些缺点。例如,虽然在正视方向上提高了显示器的亮度及色彩饱和度,但是却造成大视角的影像的色彩失真,而且亮度随视角增加而大幅的下降。
在上述的技术中,虽然得到高的出光效率,但是也造成一些问题。例如,高反射率的电极会反射从外界入射的光线,因此当使用者处在高亮度的环境光源下(例如,室外的太阳光),从外界经由面板反射的光线将严重影响到原本显示器的显示画面,导致使用者无法清楚看见原本显示器的显示画面。此外,在微型光学共振腔的技术中,此种技术虽然能够提供较佳的色彩饱和度以及较高的正视角亮度,但是因为必须使用高光学反射的电极,所以也面临同样的问题。
为了解决上述的问题,在已知技术中,在有机发光二极管显示器的显示面上方外加一组抗反射的光学膜组,以降低有机发光二极管面板对外界光线的反射现象。这种抗反射的光学膜组的结构是由偏光片(polarizer)与1/4波板(1/4λwave plate)所构成。此种结构的抗反射光学膜组虽然解决外界光的反射问题,但是却同时导致有机发光二极管显示器的亮度损失达50%-60%(因一片偏光片的穿透率仅约40-50%)。而且所额外添加的光学膜片组为一外贴的结构,造成整体装置的厚度及重量的增加。因此,有必要提出一种新的有机发光二极管显示面板,以改善此一存在的技术问题。
此外,在已知技术中OLED发光元件的高反射电极,该高反射电极本身为高活性电极,容易受外界湿气以及氧气影响氧化,进而影响到OLED元件的寿命。因此OLED需要严密的封装制程,来避免外界的水气以及氧气进入OLED元件内部。目前最常使用的是以玻璃基板作为OLED元件的上下基板,且利用该玻璃基板达到较低的阻水、氧穿透率,确保OLED元件的寿命以及品质。但如果考虑到整体的重量、厚度,甚至是未来可挠式的应用,就不可避免的上、下基板都需要使用到塑胶基板。但是使用到塑胶机板,将会降低阻水、氧穿透的能力,进而降低OLED元件的寿命以及品质。
发明内容
有鉴于此,本案采用高穿透率的材料来制作有机发光二极管显示装置中的电极,并且将具有光吸收作用的叠层设计于发光组件下方,借以有效提升显示装置的明暗对比,并且减少发光效率的损失。此外,更可提高有机发光二极管显示装置的信赖性,并且更适合用于可挠式的应用。
本案的一态样为提供一种有机发光二极管显示装置。有机发光二极管显示装置包含基板、薄膜晶体管阵列、发光组件及光吸收层。薄膜晶体管阵列设置于基板的上表面。发光组件设置于薄膜晶体管阵列上,并包含第一电极层、有机层及第二电极层。第一电极层设置于靠近薄膜晶体管阵列的一侧。有机层设置于第一电极层上。第二电极层相对第一电极层而设置于有机层上。其中第一电极层及第二电极层具有第一穿透率。光吸收层设置于第一电极层及薄膜晶体管阵列之间,且具有第二穿透率。其中,第一穿透率大于第二穿透率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





