[发明专利]有机发光二极管显示装置在审
| 申请号: | 201710168403.0 | 申请日: | 2017-03-21 |
| 公开(公告)号: | CN108630724A | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
| 发明(设计)人: | 刘振宇;龚立伟;林熙乾;卢宏傑 | 申请(专利权)人: | 宸鸿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾台北市内湖*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 第一电极 薄膜晶体管阵列 有机发光二极管显示装置 穿透率 第二电极 有机层 发光组件 光吸收层 基板 明暗对比 外部光线 影响画面 上表面 反射 | ||
1.一种有机发光二极管显示装置,其特征在于,包含:
一基板;
一薄膜晶体管阵列,设置于该基板的一上表面;
一发光组件,设置于该薄膜晶体管阵列上,并包含:一第一电极层,设置于靠近该薄膜晶体管阵列的一侧;一有机层,设置于该第一电极层上;及一第二电极层,相对该第一电极层来设置于该有机层上;其中该第一电极层及该第二电极层具有一第一穿透率;以及
一光吸收层,设置于该第一电极层及该薄膜晶体管阵列之间,且具有一第二穿透率;
其中,该第一穿透率大于该第二穿透率。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,还包括一电性绝缘层,设置于该薄膜晶体管阵列的一上表面,用以电性隔离该薄膜晶体管阵列。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,还包括一平坦层,设置于该光吸收层及该电性绝缘层之间,用以平坦化该薄膜晶体管阵列所造成的一不平整表面。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该电性绝缘层、该平坦层及该光吸收层为一复合叠层结构,并且该复合叠层结构开设有多个通孔,该第一电极层及该薄膜晶体管阵列通过所述多个通孔中所填充的导电材料来电性连接。
5.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该光吸收层是由绝缘材质所形成,并作为一平坦层,用以平坦化该薄膜晶体管阵列所造成的一不平整表面。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该电性绝缘层及该光吸收层为一复合叠层结构,并且该复合叠层结构开设有多个通孔,该第一电极层及该薄膜晶体管阵列通过所述多个通孔中所填充的导电材料来电性连接。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该光吸收层是由绝缘材质所形成,并且同时作为一电性绝缘层及一平坦层,用以电性隔离该薄膜晶体管阵列,并且平坦化该薄膜晶体管阵列所造成的一不平整表面。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该光吸收层开设有多个通孔,并且该第一电极层及该薄膜晶体管阵列通过所述多个通孔中所填充的导电材料来电性连接。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,还包含:
一封装板,设置于该第二电极层上。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,还包含:
一彩色滤光层,设置于该封装板上,并位于该封装板和该第二电极层之间。
11.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该第一穿透率为大于70%,并且该第二穿透率为小于30%。
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该第一电极层、该第二电极层及该光吸收层分别具有一小于30%的反射率。
13.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该光吸收层作为该薄膜晶体管阵列的一遮光层,并且该光吸收层进一步对应覆盖该薄膜晶体管阵列的一金属导电线路。
14.一种有机发光二极管显示装置,其特征在于,包含:
一具光吸收功能的基板;
一薄膜晶体管阵列,设置于该基板的一上表面;以及
一发光组件,设置于该薄膜晶体管阵列上,并包含:一第一电极层,设置于靠近该薄膜晶体管阵列的一侧;一有机层,设置于该第一电极层上;及一第二电极层,相对该第一电极层来设置于该有机层上;其中该第一电极层及该第二电极层具有一第一穿透率;
其中,该基板具有一第二穿透率,并且该第一穿透率大于该第二穿透率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





