[发明专利]VFTO抑制装置、阻尼母线单元、母线及GIS

说明书

技术领域

本发明涉及高压电器领域，特别是涉及到了一种VFTO抑制装置、阻尼母线单元、母线及GIS。

背景技术

气体绝缘金属封闭开关设备（GIS）中，隔离开关开合空载短母线时，会产生特快速瞬态过电压（VFTO），对GIS及其连接的绕组设备绝缘产生影响；同时，会产生瞬态壳体电位升（TEV）及电磁骚扰，对GIS临近二次设备绝缘产生威胁，干扰其正常运行，并威胁工作人员安全。在低压场合，上述不利影响尚不明显，但是随着系统电压等级的提高，VFTO、TEV和电磁骚扰越来越严重，影响也越来越大。

GIS隔离开关通过加装阻尼电阻来抑制VFTO是非常有效的，但阻尼电阻需要和隔离开关主断口并联，使得隔离开关结构复杂，并导致GIS隔离开关在壳体直径和高度方面都比较大，占用大量空间，GIS隔离开关一般都设计为立式，使得成本和造价增大很多，而且也降低了GIS设备布置的灵活性，造成建设用地增加，设备检修不方便。

高频磁环法是解决超/特高压GIS中的VFTO问题的一个非常可行而又经济方法，如果能够实际应用，其将大大降低特高压GIS隔离开关的设计复杂程度，减小其体积，降低成本。但是磁环铁氧体材料脆性高，易断裂、掉渣，在运输、安装、检修及GIS运行过程中，如遇到冲击或振动极易造成高频磁环损伤，降低抑制VFTO的功能效果，同时，铁氧体材料掉渣、掉块扩散到GIS内部可能会引起绝缘隐患，造成设备放电故障，高频磁环直接安装在导电回路中无法实现工程应用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种VFTO抑制装置，简化GIS隔离开关的结构，降低GIS成本。

同时，本发明的目的还在于提供使用所述VFTO抑制装置的阻尼母线单元、母线及GIS。

为实现上述目的，本发明的VFTO抑制装置采用以下技术方案：VFTO抑制装置，包括套式的绝缘外壳，所述绝缘外壳的壁中设置有至少一个磁环。

所述绝缘外壳灌封在磁环外部。

所述绝缘外壳为聚氨酯外壳。

所述磁环有两个以上，各磁环位于绝缘外壳的壁中所设的相互独立的空腔中。

阻尼母线单元采用以下技术方案：阻尼母线单元，包括筒体、触座和通过绝缘支撑安装在筒体中的导电杆，所述导电杆上套有至少一个VFTO抑制装置，所述VFTO抑制装置包括套式的绝缘外壳，所述绝缘外壳的壁中设置有至少一个磁环。

所述绝缘外壳灌封在磁环外部。

所述绝缘外壳为聚氨酯外壳。

所述磁环有两个以上，各磁环位于绝缘外壳的壁中所设的相互独立的空腔中。

所述VFTO抑制装置的外部设有屏蔽罩。

所述导电杆通过接头与相应的触座连接，所述屏蔽罩固定在相应的接头或者触座上。

母线采用以下技术方案：母线，包括两个以上依次设置的母线单元，所述母线单元中的至少一个为阻尼母线单元，阻尼母线单元包括筒体、触座和通过绝缘支撑安装在筒体中的导电杆，所述导电杆上套有至少一个VFTO抑制装置，所述VFTO抑制装置包括套式的绝缘外壳，所述绝缘外壳的壁中设置有至少一个磁环。

所述绝缘外壳灌封在磁环外部。

所述绝缘外壳为聚氨酯外壳。

所述磁环有两个以上，各磁环位于绝缘外壳的壁中所设的相互独立的空腔中。

所述VFTO抑制装置的外部设有屏蔽罩。

所述导电杆通过接头与相应的触座连接，所述屏蔽罩固定在相应的接头或者触座上。

GIS采用以下技术方案：GIS，包括隔离开关和母线，所述母线包括两个以上依次设置的母线单元，所述母线单元中的至少一个为阻尼母线单元，阻尼母线单元包括筒体、触座和通过绝缘支撑安装在筒体中的导电杆，所述导电杆上套有至少一个VFTO抑制装置，所述VFTO抑制装置包括套式的绝缘外壳，所述绝缘外壳的壁中设置有至少一个磁环。

所述绝缘外壳灌封在磁环外部。

所述绝缘外壳为聚氨酯外壳。

所述磁环有两个以上，各磁环位于绝缘外壳的壁中所设的相互独立的空腔中。

所述VFTO抑制装置的外部设有屏蔽罩。

所述导电杆通过接头与相应的触座连接，所述屏蔽罩固定在相应的接头或者触座上。

所述母线的阻尼母线单元靠近隔离开关设置。

本发明的有益效果是：本发明的VFTO抑制装置通过在磁环外部设置绝缘外壳的方式，杜绝了磁环铁氧体材料掉渣、掉块以及碰损（掉块、断裂等）的问题的出现，从而可实际应用于GIS中，结构简单，无动作部件，从而可简化GIS隔离开关的结构，降低GIS成本。