[发明专利]VFTO抑制装置、阻尼母线单元、母线及GIS在审
| 申请号： | 201710165822.9 | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN106972396A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 裴涛;金光耀;柏长宇;郭煜敬;李丽娜;王志刚;叶三排;杜丽平 | 申请（专利权）人： | 平高集团有限公司;国家电网公司;国网山东省电力公司检修公司 |
| 主分类号： | H02B13/025 | 分类号： | H02B13/025;H02G5/06 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司41119 | 代理人： | 陈晓辉 |
| 地址： | 467001 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | vfto 抑制 装置 阻尼 母线 单元 gis | ||
1.VFTO抑制装置，其特征在于，包括套式的绝缘外壳，所述绝缘外壳的壁中设置有至少一个磁环。
2.根据权利要求1所述的VFTO抑制装置，其特征在于，所述绝缘外壳灌封在磁环外部。
3.根据权利要求2所述的VFTO抑制装置，其特征在于，所述绝缘外壳为聚氨酯外壳。
4.根据权利要求1-3任一项所述的VFTO抑制装置，其特征在于，所述磁环有两个以上，各磁环位于绝缘外壳的壁中所设的相互独立的空腔中。
5.阻尼母线单元，包括筒体、触座和通过绝缘支撑安装在筒体中的导电杆，其特征在于，所述导电杆上套有至少一个VFTO抑制装置，所述VFTO抑制装置为权利要求1-4任一项所述的VFTO抑制装置。
6.根据权利要求5所述的阻尼母线单元，其特征在于，所述VFTO抑制装置的外部设有屏蔽罩。
7.根据权利要求6所述的阻尼母线单元，其特征在于，所述导电杆通过接头与相应的触座连接，所述屏蔽罩固定在相应的接头或者触座上。
8.母线，包括两个以上依次设置的母线单元，其特征在于，所述母线单元中的至少一个为权利要求5-7中任一项所述的阻尼母线单元。
9.GIS，包括隔离开关和母线，所述母线为权利要求8所述的母线。
10.根据权利要求9所述的GIS，其特征在于，所述母线的阻尼母线单元靠近隔离开关设置。
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