[发明专利]密封环结构及其制作方法、芯片结构

说明书

本发明公开了一种密封环结构及其制作方法、芯片结构，所述密封环结构位于一基底上，包括至少两圈金属线和至少一个缓冲部，所述金属线之间通过所述缓冲部彼此相互连接。通过所述缓冲部结构扩大了所述密封环结构的面积，相应的，要形成所述密封环结构只需要改变对所述钝化层进行曝光的掩膜版的图案设计便可实现，所述制作方法简单，且形成的密封环结构性能好。并且，采用上述密封环结构的芯片结构可以增强所述密封环结构与下层结构的粘合力，可以有效降低其在后续制程中出现芯片结构中剥落的风险，有利于保护芯片结构。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种密封环结构及其制作方法、芯片结构。

背景技术

在半导体芯片制作中，芯片外围需要通过密封环(seal ring)结构使芯片内部保持密封状态。密封环结构围在芯片的外围，密封环结构可以使芯片内部免于受到外部环境的影响，防止芯片破裂，确保半导体芯片的性能长时间稳定。另外，密封环结构还可以进一步保护芯片内部免于受到湿气引起的劣化，由于芯片内部的介电层一般由多孔低介电常数材料形成，湿气可轻易渗透低介电常数介电层而到达集成电路，密封环结构则由金属形成，其封锁了湿气渗透途径，且可实质上排除任何湿气渗透。

然而，现有技术中，在后续半导体芯片封装工艺中，常常在芯片结构会出现剥落现象。主要原因是：在封装工艺中会对具有密封环结构的芯片结构进行烘烤制程，在烘烤制程中，由于外边的保护层(Polyimide)受热会对芯片结构带来巨大的应力，会撕裂密封环结构以及密封环结构之间的钝化层(Passivation Film)，从而导致芯片失效。

因此，提供一种新的密封环结构及其制作方法、芯片结构以解决上述问题实属必要。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种密封环结构及其制作方法、芯片结构，扩大密封环结构的面积，增加密封环结构的复杂性，增强芯片结构中密封环结构与下层结构的粘合力，防止芯片被剥落而失效。

为解决上述技术问题及相关问题，本发明提供的密封环结构位于一基底上，包括至少两圈金属线和至少一个缓冲部，所述金属线之间通过所述缓冲部彼此相互连接。

可选的，在所述的密封环结构中，相邻的所述金属线间通过一个所述缓冲部连接，所述缓冲部为呈S形设置的第一金属条。

可选的，在所述的密封环结构中，所有的所述金属线间通过一个所述缓冲部连接，所述缓冲部为呈S形设置的第二金属条。

可选的，在所述的密封环结构中，所述缓冲部包括若干条第三金属条。

可选的，在所述的密封环结构中，每条所述第三金属条与所述金属线呈锐角或钝角相连。

可选的，在所述的密封环结构中，若干条所述第三金属条平行排列。

进一步的，所述密封环结构还包括伪密封环结构，所述伪密封环结构位于最外圈的金属线的外侧。

可选的，在所述的密封环结构中，至少部分所述伪密封环结构与最外圈的金属线相连通。

可选的，在所述的密封环结构中，所述伪密封环结构包括若干个相互独立的金属块。

可选的，在所述的密封环结构中，所述金属块为十字架形。

根据本发明的另一方面，本发明还提供了一种密封环结构的制作方法，所述制作方法包括：

在一基底的上表面形成一钝化层；

对所述钝化层进行选择性刻蚀，在所述钝化层中形成具有至少两个凹槽和至少一个缓冲凹槽的图案，所述凹槽之间通过所述缓冲凹槽相连通；

在所述凹槽和缓冲凹槽中填充金属，形成一密封环结构，所述密封环结构包括在所述凹槽中的金属线和所述缓冲凹槽中的缓冲部。