[发明专利]密封环结构及其制作方法、芯片结构

权利要求书

1.一种密封环结构，位于一基底上，其特征在于，所述密封环结构包括至少两圈金属线和至少一缓冲部，所述金属线之间通过所述缓冲部彼此相互连接。

2.如权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，相邻的所述金属线间通过一个所述缓冲部连接，所述缓冲部为呈S形设置的第一金属条。

3.如权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，所有的所述金属线间通过一个所述缓冲部连接，所述缓冲部为呈S形设置的第二金属条。

4.如权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，所述缓冲部包括若干条第三金属条。

5.如权利要求4所述的密封环结构，其特征在于，每条所述第三金属条与所述金属线呈锐角或钝角相连。

6.如权利要求4所述的密封环结构，其特征在于，若干条所述第三金属条平行排列。

7.如权利要求1至6任意一项所述的密封环结构，所述密封环结构还包括伪密封环结构，所述伪密封环结构位于最外圈的金属线的外侧。

8.如权利要求7所述的密封环结构，其特征在于，至少部分所述伪密封环结构与最外圈的金属线相连通。

9.如权利要求7所述的密封环结构，其特征在于，所述伪密封环结构包括若干个相互独立的金属块。

10.如权利要求9所述的密封环结构，其特征在于，所述金属块为十字架形。

11.一种密封环结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在一基底的上表面形成一钝化层；

对所述钝化层进行选择性刻蚀，在所述钝化层中形成具有至少两个凹槽和至少一缓冲凹槽的图案，所述凹槽之间通过所述缓冲凹槽相连通；

在所述凹槽和缓冲凹槽中填充金属，形成一密封环结构，所述密封环结构包括在所述凹槽中的金属线和所述缓冲凹槽中的缓冲部。

12.如权利要求11所述的密封环结构的制作方法，其特征在于，相邻的所述凹槽间通过一个所述缓冲凹槽连通，所述缓冲凹槽为呈S形设置的第一开口。

13.如权利要求11所述的密封环结构的制作方法，其特征在于，所有的所述凹槽间通过一个所述缓冲凹槽连通，所述缓冲凹槽为呈S形设置的第二开口。

14.如权利要求11所述的密封环结构的制作方法，其特征在于，所述缓冲凹槽包括若干个第三开口。

15.如权利要求14所述的密封环结构的制作方法，其特征在于，每个所述第三开口与所述凹槽呈锐角或钝角相连。

16.如权利要求14所述的密封环结构的制作方法，其特征在于，若干个所述第三开口平行排列。

17.如权利要求11至16任意一项所述的密封环结构的制作方法，其特征在于，所述金属为铝金属。

18.如权利要求11至16任意一项所述的密封环结构的制作方法，其特征在于，所述基底包括内侧的电路区和外侧的切割道区；所述凹槽和缓冲凹槽的图案形成在所述电路区之上的钝化层中。

19.如权利要求18所述的密封环结构的制作方法，其特征在于，在对所述钝化层进行选择性刻蚀的步骤中，还包括在所述切割道区之上的钝化层中形成伪凹槽的图案；在所述凹槽和缓冲凹槽中填充金属的步骤中，还包括在所述伪凹槽中填充所述金属，形成一伪密封环结构。