[发明专利]FINFET为基础的闪存胞

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其包含：

提供半导体基材；

在该半导体基材的逻辑区中形成第一多个半导体鳍片；

在该半导体基材的存储区中形成第二多个半导体鳍片；

在该第一多个半导体鳍片的所述鳍片之间、及该第二多个半导体鳍片的所述鳍片之间形成绝缘层；

在所述第一与第二多个半导体鳍片及该绝缘层上方形成电极层；

由该电极层本身形成栅极于该逻辑区中的该第一多个半导体鳍片的半导体鳍片上方；以及

由该电极层本身形成感测栅极及控制栅极于该存储区中的该第二多个半导体鳍片的半导体鳍片之间。

2.如权利要求1所述的方法，还包含在该存储区中的该绝缘层中形成凹口，并且其中，所述感测栅极与浮动栅极是在该绝缘层中所形成的所述凹口中形成。

3.如权利要求1所述的方法，还包含在该逻辑区中的所述栅极与所述半导体鳍片之间、及该存储区中的所述感测栅极与所述半导体鳍片之间形成高k介电层。

4.如权利要求1所述的方法，还包含在该存储区中的所述控制栅极与所述半导体鳍片之间形成浮动栅极。

5.如权利要求1所述的方法，还包含在所述逻辑与存储区中的所述第一与第二多个半导体鳍片与该绝缘层上方形成牺牲栅极层，并且在形成该电极层之前先移除该牺牲栅极层。

6.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述感测栅极与所述控制栅极包含将该存储区中的该电极层向下研磨至该第二多个半导体鳍片的所述半导体鳍片的顶端表面的位准。

7.一种形成半导体装置的方法，其包含在晶圆的逻辑区中形成FinFET装置，并且在该晶圆的存储区中形成闪存胞，其包含：

在该逻辑区中形成具有第一高度的第一半导体鳍片；

在该存储区中形成具有大于该第一高度的第二高度的第二半导体鳍片；

在所述第一与第二半导体鳍片上方形成电极层；

由该电极层本身形成该FinFET装置的栅极于所述第一半导体鳍片上方；以及

由该电极层本身形成该闪存胞的感测栅极与所述第二半导体鳍片的半导体鳍片的第一侧壁邻近，并且由该电极层本身形成该闪存胞的控制栅极与所述第二半导体鳍片的该半导体鳍片的第二侧壁邻近。

8.如权利要求7所述的方法，还包含：

以比该第一高度更低的第三高度在所述第一半导体鳍片之间、及以比该第一高度更大，与该第二高度实质相等的第四高度在所述第二半导体鳍片之间形成氧化物层；以及其中

该FinFET装置的该栅极是在该逻辑区中的该氧化物层上部分形成，而该闪存胞的该感测栅极与该控制栅极是在该存储区里的该氧化物层中所形成的凹口中形成。

9.如权利要求7所述的方法，还包含：

在形成该FinFET装置的该栅极、及该闪存胞的所述感测与控制栅极之前，先在所述第一与第二半导体鳍片的顶端表面与侧表面上方形成半导体层；

将该半导体层从所述第一与第二半导体鳍片的所述顶端表面、并且自所述第一半导体鳍片的所述侧表面移除；以及

在该存储区中自该半导体层起形成该闪存胞的浮动栅极。

10.如权利要求7所述的方法，还包含在该FinFET装置的该栅极的侧表面、及该控制栅极的侧表面上形成高k介电层。

11.如权利要求7所述的方法，还包含在形成该电极层之前，先在所述第一与第二半导体鳍片上方形成牺牲电极层、图型化该牺牲电极层以在所述第一与第二半导体鳍片上方形成取代栅极、在所述取代栅极之间形成绝缘层、以及移除所述取代栅极。