[发明专利]晶片封装体及其制造方法

说明书

本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括一基底，具有一第一表面及与其相对的一第二表面，其中基底具有一晶片区及沿晶片区的边缘延伸的一切割道区。晶片封装体还包括一介电层，设置于基底的第一表面上，其中对应于切割道区的介电层内具有一通槽，且通槽沿切割道区的延伸方向延伸。本发明可维持或改善晶片封装体可靠度及效能，避免基底翘曲，且可进一步缩小晶片封装体的尺寸。

技术领域

本发明有关于一种晶片封装技术，特别为有关于一种具有低介电常数(low-k)介电材料保护结构的晶片封装体及其制造方法。

背景技术

光电元件(例如，影像感测元件)在撷取影像等应用中扮演着重要的角色，其已广泛地应用于例如数字相机(digital camera)、数字录影机(digital video recorder)、手机(mobile phone)等电子产品中，而晶片封装制程是形成电子产品过程中的重要步骤。晶片封装体除了将感测晶片保护于其中，使其免受外界环境污染外，还提供感测晶片内部电子元件与外界的电性连接通路。

然而，在具有感测晶片的晶片封装体制造中，影响封装体可靠度的其中一个原因就是形成于晶片封装体的低介电常数介电材料(如，金属化层/内连接层的绝缘部)内的裂缝。举例来说，当晶圆切割成独立的晶片封装体时，晶片封装体的低介电常数介电材料因切割制程所引发的应力而于其内形成裂缝。如此一来，造成晶片封装体可靠度及效能下降。

因此，有必要寻求一种新颖的晶片封装体及其制造方法，其能够解决或改善上述的问题。

发明内容

本发明提供一种晶片封装体，包括一基底，具有一第一表面及与其相对的一第二表面，其中基底具有一晶片区及沿晶片区的边缘延伸的一切割道区。晶片封装体还包括一介电层，设置于基底的第一表面上，其中对应于切割道区的介电层内具有一通槽，且通槽沿切割道区的延伸方向延伸。

本发明还提供一种晶片封装体的制造方法，包括：提供一基底，基底具有一第一表面及与其相对的一第二表面，且具有一晶片区及沿晶片区的边缘延伸的一切割道区；于基底的第一表面上形成一介电层；以及于对应于切割道区的介电层内形成一通槽，其中通槽沿切割道区的延伸方向延伸。

本发明可维持或改善晶片封装体可靠度及效能，避免基底翘曲，且可进一步缩小晶片封装体的尺寸。

附图说明

图1A至1I是绘示出根据本发明一实施例的晶片封装体的制造方法剖面示意图。

图2是绘示出图1I中晶片封装体的一部分的介电层仰视示意图。

图3A至3E是绘示出根据本发明另一实施例的晶片封装体的制造方法剖面示意图。

图4是绘示出图3E中晶片封装体的一部分的介电层仰视示意图。

附图中符号的简单说明如下：

10、20：晶片封装体；100：基底；100a：第一表面；100b：第二表面；101、112a：边缘；103、105、150a：开口；110：介电层；118：底胶材料层；112：密封环；114：导电垫；116：通槽；120：粘着层；130：承载基底；140：绝缘衬层；145：重布线层；150：钝化护层；155：空孔；160：导电结构；220：间隔层；230：盖板；C：晶片区；D：距离；SC：切割道区；W：宽度。

具体实施方式