[发明专利]晶片封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

基底，具有第一表面及与该第一表面相对的第二表面，其中该基底具有晶片区及沿该晶片区的边缘延伸的切割道区；

介电层，设置于该基底的该第一表面上，其中对应于该切割道区的该介电层内具有通槽，且该通槽沿该切割道区的延伸方向延伸，且该通槽由该第一表面延伸入该基底内；以及

导电结构，设置于该基底的该第二表面上。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括密封环，该密封环设置于该介电层内，其中该密封环的一边缘对准于该切割道区与该晶片区之间的分界线，且该密封环沿该切割道区的延伸方向延伸。

3.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，该通槽与该密封环之间的距离在5微米至10微米的范围。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该通槽具有宽度，该宽度在5微米至15微米的范围。

5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括底胶材料层，该底胶材料层完全填满该通槽。

6.根据权利要求5所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

盖板，设置于该基底的该第一表面上方；以及

间隔层，设置于该介电层与该盖板之间。

7.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

导电垫，设置于该介电层内且对应于该晶片区；

重布线层，设置于该基底的该第二表面上，且延伸至该基底的开口内而电性连接该导电垫；以及

钝化护层，设置于该基底的该第二表面上方，且填入该基底的该开口内，以覆盖该重布线层，

其中该导电结构穿过该钝化护层而电性连接至该重布线层。

8.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该介电层包括低介电常数材料。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该通槽延伸入该基底内的深度在1微米至2微米的范围。

10.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，该基底具有第一表面及与该第一表面相对的第二表面，且具有晶片区及沿该晶片区的边缘延伸的切割道区；

于该基底的该第一表面上形成介电层；

于对应于该切割道区的该介电层内形成通槽，其中该通槽沿该切割道区的延伸方向延伸，且该通槽由该第一表面延伸入该基底内；以及

于该基底的该第二表面上形成导电结构。

11.根据权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括于该介电层内形成密封环，其中该密封环的一边缘对准于该切割道区与该晶片区之间的分界线，且该密封环沿该切割道区的延伸方向延伸。

12.根据权利要求11所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该通槽与该密封环之间的距离在5微米至10微米的范围。

13.根据权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该通槽具有宽度，该宽度在5微米至15微米的范围。

14.根据权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，通过激光开槽形成该通槽。

15.根据权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括于对应于该晶片区的该介电层内形成导电垫。

16.根据权利要求15所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括于该通槽内完全填满底胶材料层。