[发明专利]用于系统维护期间储存和组织MCA特征和晶片传送销的设计有效

专利信息
申请号: 201710164882.9 申请日: 2017-03-20
公开(公告)号: CN107644832B 公开(公告)日: 2023-09-29
发明(设计)人: 乔治·伯尼尔;约瑟夫·魏 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H01L21/687 分类号: H01L21/687;H01L21/67
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 李献忠;张静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 系统维护 期间 储存 组织 mca 特征 晶片 传送 设计
【说明书】:

发明涉及用于系统维护期间储存和组织MCA特征和晶片传送销的设计。一种用于储存衬底处理系统的最小接触面积(MCA)部件的托盘包括第一隔室,所述第一隔室包括第一多个孔和第一升降销托盘中的至少一个。所述第一升降销托盘包括被配置为保持所述衬底处理系统的升降销的多个槽。所述第一多个孔被配置为接收所述衬底处理系统的MCA销。第一杯邻近所述第一隔室布置。所述第一杯包括至少部分地围绕所述第一杯的壁,所述壁将所述第一杯与所述第一隔室分开,并且所述壁的上边缘在所述第一隔室的底表面上方延伸。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年12月4日提交的美国临时申请No.62/263,255的权益。上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及用于储存和组织衬底处理系统的部件的系统和方法。

背景技术

这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的背景的目的。在该背景技术部分以及在提交时不会以其他方式认为是现有技术的描述的方面中描述的程度上,目前署名的发明人的工作既不明确地也不隐含地被承认为针对本公开的现有技术。

衬底处理系统可用于执行诸如半导体晶片之类的衬底的蚀刻、沉积、清洁和/或其它处理。可以在衬底上执行的示例工艺包括但不限于:等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、原子层沉积(ALD)工艺、化学增强等离子体气相沉积(CEPVD)工艺、溅射物理气相沉积(PVD)工艺、离子注入工艺、和/或其它蚀刻(例如,化学蚀刻、等离子体蚀刻、反应离子蚀刻等)、沉积和清洁工艺。衬底可以布置在衬底支撑件(例如衬底处理系统的处理室中的基座)上。仅作为示例,在沉积期间,将包括一种或多种前体的气体混合物引入到处理室中,并且激励等离子体以在衬底上沉积膜。

一些基座(例如,包括但不限于在PECVD和ALD衬底处理系统中使用的基座)可以包括可以在衬底处理系统的维护期间被移除的一个或多个部件。这些部件可以包括最小接触面积(MCA)球或轴承,MCA销和/或升降销。在一些示例中,MCA轴承和相应的MCA销布置在基座的表面中的相应孔中。 MCA销的第一端由孔内的MCA轴承支撑,并且MCA销的第二端从孔延伸。在其他示例中,仅MCA销布置在相应的孔中。衬底通过MCA销的第二端支撑在基座上。升降销布置在基座中并且被构造成选择性地被提升和/或缩回以将衬底提升离开基座(即,离开MCA销)以及将衬底降低到基座上。

发明内容

一种用于储存衬底处理系统的最小接触面积(MCA)部件的托盘包括第一隔室,所述第一隔室包括第一多个孔和第一升降销托盘中的至少一个。所述第一升降销托盘包括被配置为保持所述衬底处理系统的相应升降销的多个槽。所述第一多个孔被配置为接收所述衬底处理系统的相应MCA销。第一杯邻近所述第一隔室布置。所述第一杯包括至少部分地围绕所述第一杯的壁,所述壁将所述第一杯与所述第一隔室分开,并且所述壁的上边缘在所述第一隔室的底表面上方延伸。

具体而言,本发明的一些方面可以阐述如下:

从详细描述、权利要求和附图,本公开的其它应用领域将变得显而易见。详细描述和具体示例仅旨在用于说明的目的,并且不旨在限制本公开的范围。

附图说明

从详细描述和附图将更充分地理解本公开,其中:

图1示出了根据本公开的原理的示例性最小接触面积(MCA)部件托盘;

图2示出了根据本公开的原理的示例性MCA轴承杯;

图3示出了根据本公开的原理的仅包括升降销托盘的示例性MCA部件托盘;

图4示出了根据本公开原理的用于单个衬底处理室或站的示例性MCA部件托盘;

图5示出了根据本公开的原理的另一示例性MCA部件托盘;

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