[发明专利]一种半导体器件的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；执行阱区离子注入步骤，以在所述半导体衬底中形成阱区；执行袋型区和/或LDD离子注入步骤，以在所述半导体衬底中形成袋型区和/或源/漏延伸区。根据本发明的半导体器件的制造方法，将阱区离子注入工艺在栅极形成后执行，与袋型离子注入和/或LDD离子注入工艺在同一掩膜条件下顺序进行，一方面，减少了对掩膜的使用，从而减少了生产成本；另一方面，有效地减少了半导体制造的工艺步骤，增加了工艺的稳定性。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体而言涉及一种半导体器件的制造方法。

背景技术

大规模集成电路制造工业中，如何最大限度的缩减成本是半导体厂商一直面对的问题。在集成电路制造中，通常采用小尺寸的高技术节点缩小芯片尺寸，以在相同尺寸的晶圆上获得更多的芯片，从而减少单个芯片成本。而在半导体工艺中，常采用减少掩膜层和金属层的使用，从而以减少单片晶圆生产成本。例如，在形成核心器件和I/O器件的阱区的过程中，常采用相同的掩膜层以减少掩膜的使用。又比如，通过一些掩膜的逻辑运算采用新的掩膜以代替原始的两层或多层掩膜，从而减少掩膜的使用。

这里，提供了一种半导体器件的制造方法，采用新的工艺可减少掩膜的使用。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；

执行阱区离子注入步骤，以在所述半导体衬底中形成阱区；

执行袋型和/或LDD离子注入步骤，以在所述半导体衬底中形成袋型区和/或源/漏延伸区。

示例性地，所述阱区离子注入步骤包括：

在所述半导体衬底上形成掩膜层；

图案化所述掩膜层以形成待注入区；

执行阱区离子注入工艺，以在所述半导体衬底中形成阱区。

示例性地，所述袋型和/或LDD离子注入步骤包括，在所述阱区离子注入工艺之后，在所述待注入区执行袋型和/或LDD离子注入工艺。

示例性地，所述栅极结构为栅氧化层和多晶硅层的叠层结构。

示例性地，所述方法还包括在执行阱区离子注入步骤之前再氧化所述多晶硅层的步骤。

示例性地，所述方法还包括在执行袋型和/或LDD离子注入步骤之后执行的源/漏离子注入步骤，以在所述半导体衬底中形成源/漏极。

示例性地，在形成所述源/漏极之前还包括在所述栅极结构两侧形成间隙壁的步骤。

示例性地，所述半导体器件包括NMOS或PMOS。

根据本发明的半导体器件的制造方法，将阱区离子注入工艺在栅极形成后执行，与袋型离子注入和/或LDD离子注入工艺在同一掩膜条件下顺序进行，以完成阱区形成过程与袋型区和/或源/漏延伸区的形成过程，一方面，减少了对掩膜的使用，从而减少了生产成本；另一方面，有效地减少了半导体制造的工艺步骤，增加了工艺的稳定性。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：