[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201710161180.5 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN108630546A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 魏琰;宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体器件 半导体 阱区离子 袋型区 掩膜 制造 离子注入步骤 离子注入工艺 半导体制造 有效地减少 工艺步骤 漏延伸区 栅极结构 栅极形成 阱区 生产成本 离子 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；
执行阱区离子注入步骤，以在所述半导体衬底中形成阱区；
执行袋型和/或LDD离子注入步骤，以在所述半导体衬底中形成袋型区和/或源/漏延伸区。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阱区离子注入步骤包括：
在所述半导体衬底上形成掩膜层；
图案化所述掩膜层以形成待注入区；
执行阱区离子注入工艺，以在所述半导体衬底中形成阱区。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述袋型和/或LDD离子注入步骤包括，在所述阱区离子注入工艺之后，在所述待注入区执行袋型和/或LDD离子注入工艺。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构为栅氧化层和多晶硅层的叠层结构。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在执行阱区离子注入步骤之前再氧化所述多晶硅层的步骤。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在执行袋型和/或LDD离子注入步骤之后执行的源/漏离子注入步骤，以在所述半导体衬底中形成源/漏极。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成所述源/漏极之前还包括在所述栅极结构两侧形成间隙壁的步骤。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件包括NMOS或PMOS。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
