[发明专利]聚焦离子束装置

说明书

本发明涉及聚焦离子束装置。提供一种能够以简易的结构使观察对象的微小样品片在聚焦离子束装置与样品观察装置之间容易地移动的聚焦离子束装置。具备：样品台，载置样品；聚焦离子束镜筒，向所述样品照射聚焦离子束来制作微小样品片；样品室，收容所述样品台和所述聚焦离子束镜筒；侧面插入型的托架，以能对所述样品室插拔的方式形成，能够在顶端侧保持所述微小样品片；以及样品片移动单元，使所述微小样品片在所述样品台和所述托架之间移动，所述样品台以能至少分别沿着沿水平面的x轴和与其成直角的y轴及沿铅垂方向的z轴移动的方式形成，在所述样品台的一端形成有与所述托架拆装自由地卡合并且伴随着该样品台的移动也使该托架移动的托架卡合部。

技术领域

本发明涉及利用聚焦离子束从样品切出包含观察对象部位的微小样品片的聚焦离子束装置。

背景技术

例如，作为对半导体器件等样品的内部构造进行解析或者进行立体的观察的手法之一，已知使用装载有聚焦离子束（Focused Ion Beam；FIB）镜筒和电子束（ElectronBeam；EB）镜筒的复合带电粒子束装置来进行利用FIB的剖面形成加工和对其剖面进行利用EB扫描的扫描型电子显微镜（Scanning Electron Microscope；SEM）观察的剖面加工观察方法（例如，参照专利文献1）。

关于该剖面加工观察方法，将利用FIB的剖面形成加工称为切（Cut）并且将利用EB的剖面观察称为看（See）而重复切和看来构筑三维图像的一系列的手法已知为切&看。在该手法中，能够根据再构筑的三维立体像从各种方向观察对象样品的立体的形体。进而，具有能够再现对象样品的任意的剖面像这样的、对于其他的方法没有的优点。

另一方面，关于SEM，由于存在二次电子射线的宽度，所以在高倍率（高分辨率）的观察中存在界限，此外，所得到的信息也被限定于样品表面附近。因此，还已知使用了使加工为薄膜状的样品透射电子的透射型电子显微镜（Transmission Electron Microscopy：TEM）的观察方法。在利用TEM的观察中，能够观察样品内部的构造，并且，能够得到比SEM高倍率（高分辨率）的观察像。在这样的利用TEM的观察中使用的薄膜化后的微细的样品（以下，有时称为微小样品片。）的制作中，上述那样的利用FIB的剖面形成加工也是有效的。

可是，通常，TEM与SEM相比需要为高电压、高真空，因此，设备自身比SEM大型，难以为与FIB合并的装置。因此，已知有如下结构（例如，参照专利文献2）：在将通过利用FIB的剖面形成加工得到的微小样品片用作TEM的观察样品的情况下，能够使用在FIB装置和TEM装置中共同的样品支架，在FIB装置与TEM装置之间容易地移动样品。

在该专利文献2所记载的聚焦离子束装置中组合FIB加工和机械探针操作来从样品切出解析部位来形成微小样品片并装载于被称为TEM解析用的网状物的样品台的FIB微量采样（micro sampling）法中，在FIB装置和TEM中装载共同的侧面插入台，以使在FIB装置与TEM装置间的样品移动中不发生繁杂的网状物的更换。而且，做成如下结构：在从大块样品切出微小样品片时，为了使用FIB用的样品台来进行加工而使侧面插入支架移动到退避位置，在将切出后的微小样品片固定于侧面插入支架上的网状物时，使FIB用的样品台移动到退避位置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-270073号公报；

专利文献2：日本特许第4297736号公报。

发明要解决的课题