[发明专利]复合铁电厚膜及其制备方法

说明书

本发明涉及一种复合铁电厚膜及其制备方法，所述复合铁电厚膜包括化学通式为x wt％PbZrO₃‑(100‑x)wt％PVDF的材料；其中，0x≤20。本发明的复合铁电厚膜通过引入PbZrO₃纳米纤维，提高了饱和极化值，从而相应的提高储能密度。在外加电场的作用下，x wt％PbZrO₃‑(100‑x)wt％PVDF铁电厚膜能够获得较大的极化差值，从而有利于储能密度的增加和储能效率的提高，本发明复合厚膜能够提高储能密度、储能效率及稳定性，有利于高功率大容量存储电容器件的开发和应用。

技术领域

本发明涉及电子功能材料与器件技术领域，具体涉及一种复合铁电厚膜及其制备方法。

背景技术

随着电子电路微型化和集成化的发展，人们对电子元器件提出了新的要求。储能电容器作为微电子元器件的关键组成之一，要求其拥有高的储能密度和稳定储能性能。铁电介电材料因其拥有优良的介电性而被各国的研究者作为一种储能材料进行广泛的研究，并实现了其应用。随着电子器件的多功能化及小型化，作为许多元件中重要组成部分的钙钛矿型结构氧化物，其纳米尺寸调控、性能优化以及新材料的探索也日渐深入。

将聚偏氟乙烯与长径比高、分散性良好的PbZrO₃纳米纤维混合制备PVDF/PbZrO₃复合厚膜与传统PVDF厚膜相比，其在储能密度和储能效率等方面均存在较大的优势。

因此，如何提高复合铁电厚膜的储能密度、储能效率及稳定性，并且制备该铁电厚膜，是本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

本发明的一个目的在于提出一种复合铁电厚膜。

根据本发明的一种复合铁电厚膜，所述复合铁电厚膜包括化学通式为x wt％PbZrO₃-(100-x)wt％PVDF的材料；其中，0x≤20。

本发明的复合铁电厚膜通过引入PbZrO₃纳米纤维，提高了饱和极化值，从而相应的提高储能密度。在外加电场的作用下，x wt％PbZrO₃-(100-x)wt％PVDF铁电厚膜能够获得较大的极化差值，从而有利于储能密度的增加和储能效率的提高，本发明复合厚膜能够提高储能密度、储能效率及稳定性，有利于高功率大容量存储电容器件的开发和应用。

另外，根据本发明上述实施例的复合铁电厚膜，还可以具有如下附加的技术特征：

进一步地，所述复合铁电厚膜的厚度为10μm～15μm。

进一步地，所述复合铁电厚膜为胶体。

本发明的另一个目的在于提出上述的复合铁电厚膜的制备方法。