[发明专利]一种可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构

权利要求书

1.一种可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构，包括激光芯片和加热装置，其特征在于：还包括第一导热衬底和第二导热衬底，分别与激光芯片的N面和P面键合，并在键合面形成电连接；所述加热装置采用通过薄膜工艺或厚膜工艺生成的平面加热元件，位于其中一个导热衬底的外侧表面并与该导热衬底保持绝缘。

2.根据权利要求1所述的可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构，其特征在于：所述平面加热元件为薄膜电阻或厚膜电阻。

3.根据权利要求2所述的可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构，其特征在于：所述平面加热元件在激光芯片腔长方向和宽度方向的尺寸均小于其安装平面，对应于激光芯片的正上方；用于对平面加热元件加电的正、负电极为金属镀层，分别位于安装平面在激光芯片宽度或者腔长方向的两端区域，并延及平面加热元件相应两端的下方区域。

4.根据权利要求1所述的可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构，其特征在于：所述第一导热衬底和第二导热衬底均为导电导热衬底，平面加热元件与相应的导电导热衬底之间设置有绝缘导热基板。

5.根据权利要求4所述的可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构，其特征在于：所述绝缘导热基板在激光芯片腔长和/或宽度方向上的尺寸小于相应的导电导热衬底，设置在该导电导热衬底上，对应于激光芯片的正上方，留出的空间便于实现激光芯片电连接。

6.根据权利要求1所述的可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构，其特征在于：所述其中一个导热衬底为绝缘导热衬底，直接与平面加热元件接触，另一个导热衬底为导电导热衬底。

7.根据权利要求6所述的可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构，其特征在于：所述绝缘导热衬底采用DBC或者DPC结构，通过覆铜结构实现与激光芯片的电连接。

8.根据权利要求7所述的可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构，其特征在于：所述其中一个导热衬底的外侧覆铜层有一部分区域与平面加热元件及正、负电极所覆盖区域绝缘隔离，该部分区域具有从平面加热元件到激光芯片方向贯通的导电通道，将外侧覆铜层与内侧覆铜层连通，使激光芯片与平面加热元件在同侧分别实现电连接。

9.根据权利要求1所述的可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构，其特征在于：所述平面加热元件设置于第二导热衬底的外侧面。

10.根据权利要求1所述的可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构，其特征在于：所述第一导热衬底采用Kovar合金、Invar系列合金、CuW或者Cu-Diamond复合材料，或者采用Cu/Invar/Cu、Cu/Kovar/Cu、Cu/W/Cu、Cu/Mo/Cu或Cu/Diamond/Cu复合结构；所述第二导热衬底采用CuW或者Cu-Diamond复合材料，或者采用Cu/W/Cu、Cu/Mo/Cu或Cu/Diamond/Cu复合结构。