[发明专利]NAND FLASH使用寿命的计算方法及系统

说明书

本发明提供一种NAND FLASH使用寿命的计算方法及系统。其中方法包括：获取NAND FLASH的测试参数及NAND FLASH的擦写次数初始值；根据测试参数对所述NAND FLASH进行测试，并获得每次测试后NAND FLASH的擦写次数当前值；根据擦写次数初始值和擦写次数当前值获得每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值；提取测试参数中的测试次序信息，对测试次序信息和擦写次数净增长值进行分析，得到二者之间的对应关系，并根据对应关系计算出NAND FLASH的使用寿命。其能估算出NAND FLASH的使用寿命，解决了传统技术中难以对NAND FLASH的使用寿命进行估算的问题。

技术领域

本发明涉及闪存技术领域，特别是涉及NAND FLASH使用寿命的计算方法及系统。

背景技术

NAND FLASH虽有自身的物理寿命，由于FLASH的固有特性，如：按页读写、按环读写、写操作之前需要对FLASH的块进行擦除等特性，因此FLASH的实际使用寿命即为块的擦写次数，但实际读写时并不能按最理想的擦写次数来估算FLASH的实际使用寿命，需要使用不同的磨损平衡算法来平衡各个数据块的擦除次数，而且由于各种使用场景的不同，写入的数据量及写入数据的大小不同，很难对NAND FLASH的使用寿命进行估算。

发明内容

基于此，有必要针对传统技术很难对NAND FLASH的使用寿命进行估算的问题，提供一种能够估算NAND FLASH使用寿命的NAND FLASH使用寿命的计算方法及系统。

为达到发明目的，提供一种NAND FLASH使用寿命的计算方法，所述方法包括：

获取NAND FLASH的测试参数及NAND FLASH的擦写次数初始值；

根据所述测试参数对所述NAND FLASH进行测试，并获得每次测试后所述NANDFLASH的擦写次数当前值；

根据所述擦写次数初始值和所述擦写次数当前值获得每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值；

提取所述测试参数中的测试次序信息，对所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值进行分析，得到二者之间的对应关系，并根据所述对应关系计算出所述NAND FLASH的使用寿命。

在其中一个实施例中，所述根据所述擦写次数初始值和所述擦写次数当前值获得每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值的步骤包括：

获取每次测试所述NAND FLASH时所述NAND FLASH中预设的各个数据块对应的块擦写次数净增长值；

根据所述块擦写次数净增长值获得每次测试所述NAND FLASH时对应的所述擦写次数净增长值。

在其中一个实施例中，所述根据所述块擦写次数净增长值获得每次测试所述NANDFLASH时对应的所述擦写次数净增长值的步骤包括：

每次测试NAND FLASH后，将所述NAND FLASH中各个所述数据块对应的块擦写次数净增长值进行降序排序，得到排序后的块擦写次数净增长值；

由所述排序后的块擦写次数净增长值中获取排序在前预设数量的第一块擦写次数净增长值；

对预设数量的所述第一块擦写次数净增长值进行均值运算，得到每次测试NANDFLASH时对应的擦写次数净增长值。

在其中一个实施例中，所述提取所述测试参数中的测试次序信息，对所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值进行分析，得到二者之间的对应关系的步骤包括：

由所述测试参数中提取所述测试次序信息，并根据所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值计算出所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值的拟合判定系数；