[发明专利]NAND FLASH使用寿命的计算方法及系统

权利要求书

1.一种NAND FLASH使用寿命的计算方法，其特征在于，所述方法包括：

获取NAND FLASH的测试参数及NAND FLASH的擦写次数初始值；

根据所述测试参数对所述NAND FLASH进行测试，并获得每次测试后所述NAND FLASH的擦写次数当前值；

根据所述擦写次数初始值和所述擦写次数当前值获得每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值；

提取所述测试参数中的测试次序信息，对所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值进行分析，得到二者之间的对应关系，并根据所述对应关系计算出所述NAND FLASH的使用寿命；

所述根据所述擦写次数初始值和所述擦写次数当前值获得每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值的步骤包括：

获取每次测试所述NAND FLASH时所述NAND FLASH中预设的各个数据块对应的块擦写次数净增长值；

根据所述块擦写次数净增长值获得每次测试所述NAND FLASH时对应的所述擦写次数净增长值；

所述根据所述块擦写次数净增长值获得每次测试所述NAND FLASH时对应的所述擦写次数净增长值的步骤包括：

每次测试NAND FLASH后，将所述NAND FLASH中各个所述数据块对应的块擦写次数净增长值进行降序排序，得到排序后的块擦写次数净增长值；

由所述排序后的块擦写次数净增长值中获取排序在前预设数量的第一块擦写次数净增长值；

对预设数量的所述第一块擦写次数净增长值进行均值运算，得到每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值。

2.根据权利要求1所述的NAND FLASH使用寿命的计算方法，其特征在于，所述提取所述测试参数中的测试次序信息，对所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值进行分析，得到二者之间的对应关系的步骤包括：

由所述测试参数中提取所述测试次序信息，并根据所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值计算出所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值的拟合判定系数；

根据所述拟合判定系数判断是否能够得到所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值之间的线性回归方程；

若是，则根据测试次序信息和所述擦写次数净增长值计算所述线性回归方程的回归系数估算值，并由所述回归系数估算值求得所述线性回归方程；

若否，则根据测试NAND FLASH时得到的擦写次数净增长值的实际测试值和估计值计算残差，根据残差判定离群点，并将离群点去除后，根据测试次序信息和所述擦写次数净增长值计算所述线性回归方程的回归系数估算值，由所述回归系数估算值求得所述线性回归方程。

3.根据权利要求2所述的NAND FLASH使用寿命的计算方法，其特征在于，所述根据所述对应关系计算出所述NAND FLASH的使用寿命的步骤包括：

获取所述NAND FLASH的预设标称值；

利用所述预设标称值以及所述线性回归方程计算出所述NAND FLASH的使用寿命。